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機構	日期	題名	作者
臺大學術典藏	1999	─半導體關鍵設備研發－總計畫(III)	胡振國; 胡振國
國立臺灣大學	1998	半導體關鍵設備研發(II)─子計畫一:快速熱處理機台自動化研究	胡振國
國立臺灣大學	1998	半導體工程人才培育計畫─子計畫二:矽金氧半光電元件製作(3/3)	胡振國
國立臺灣大學	1998	低溫預成長再高溫快速熱處理備製薄閘極氧化層	胡振國
臺大學術典藏	1998	半導體工程人才培育計畫─子計畫二:矽金氧半光電元件製作(3/3)	胡振國; 胡振國
臺大學術典藏	1998	低溫預成長再高溫快速熱處理備製薄閘極氧化層	胡振國; 胡振國
國立臺灣大學	1997	半導體工程人才培育計畫─半導體工程人才培育計畫:子計畫二:矽金氧半光電元件製作(II)	胡振國
國立臺灣大學	1997	半導體關鍵設備研發─子計畫一：快速熱處理機台自動化研究(I)	胡振國
國立臺灣大學	1997	以液相沉積法將雜質含入矽氧化層技術之研發	胡振國
臺大學術典藏	1997	半導體工程人才培育計畫─半導體工程人才培育計畫:子計畫二:矽金氧半光電元件製作(II)	胡振國; 胡振國
臺大學術典藏	1997	半導體關鍵設備研發─子計畫一：快速熱處理機台自動化研究(I)	胡振國; 胡振國
臺大學術典藏	1997	以液相沉積法將雜質含入矽氧化層技術之研發	胡振國; 胡振國
國立臺灣大學	1996	半導體工程人才培育計畫─半導體工程人才培育計畫:子計畫二:矽金氧半光電元件製作	胡振國
國立臺灣大學	1996	快速熱技術在矽金氧半元件制程之應用	胡振國
國立臺灣大學	1996	複合式半導體微型壓力感測計之研究(總計畫)	呂學士; 胡振國; 張培仁; Lu, Shey-Shi; Hwu, Jenn-Gwo; Chang, Pei-Zen
臺大學術典藏	1996	複合式半導體微型壓力感測計之研究(總計畫)	呂學士; 胡振國; 張培仁; 呂學士; 胡振國; 張培仁
國立臺灣大學	1995	以快速熱程序生長及退火薄閘極氧化層	胡振國
國立臺灣大學	1995	複合式半導體微型壓力感測器之研究\─複合式半導體微型壓力感測器之研究:子計畫一-壓力感測器用之矽金氧半場效電晶體放大器製作及穩定	胡振國
國立臺灣大學	1995	Aspect Ratio Effect on the Radiation Hardness of CMOS Inverters	胡振國; Jeng, M. J.; Hwu, Jenn-Gwo; Jeng, M. J.
國立臺灣大學	1995	Improvement in Reliability of n-MOSFETs by Using Rapid Thermal N20- Reoxidized Gate Oxides	胡振國; Wu, Y. L.; Wu, Z. Y.; Hwu, Jenn-Gwo; Wu, Y. L.; Wu, Z. Y.
國立臺灣大學	1995	Radiation Hardness of Coplanar Submicron Gap Charge-Coupled Devices (CCD) with Rapid Thermal Nitrided Oxides	胡振國; Lee, K. C.; Hwu, Jenn-Gwo; Lee, K. C.
臺大學術典藏	1995	以快速熱程序生長及退火薄閘極氧化層	胡振國; 胡振國
臺大學術典藏	1995	複合式半導體微型壓力感測器之研究\─複合式半導體微型壓力感測器之研究:子計畫一-壓力感測器用之矽金氧半場效電晶體放大器製作及穩定	胡振國; 胡振國
臺大學術典藏	1995	Aspect Ratio Effect on the Radiation Hardness of CMOS Inverters	Hwu, Jenn-Gwo; Jeng, M. J.; 胡振國; Jeng, M. J.; Hwu, Jenn-Gwo
國立臺灣大學	1994-10	金氧半元件輻射效應及互補金氧半反相器中元件比之設計考慮	胡振國; 鄭明哲; Hwu, Jenn-Gwo; 鄭明哲
國立臺灣大學	1994	以含氮氧化矽閘極製程製作高穩定度矽金氧半元件	胡振國
國立臺灣大學	1994	Radiation Hardness on Fluorinated Oxides Prepared by Liquid Phase Deposition Method Following Rapid Thermal Annealing Treatment	Lu, W. S.; 胡振國; Chou, J. S.; 李嗣涔; Lu, W. S.; Hwu, Jenn-Gwo; Chou, J. S.; Lee, Si-Chen
國立臺灣大學	1994	Application of Irradiation-Then-Nitridation to the Improvement of Radiation Hardness in MOS Gate Dielectrics	Lee, K. C.; 胡振國; Lee, K. C.; Hwu, Jenn-Gwo
國立臺灣大學	1994	Design and Fabrication of Basic Silicon MOS Digital Ciruits	胡振國; Hwu, Jenn-Gwo
國立臺灣大學	1994	Effect of Fluorine on the Radiation Hardness of Gate Oxides Prepared by Liquid Phase Deposition Following Rapid Thermal Oxidation	胡振國; Lu, W. S.; Hwu, Jenn-Gwo; Lu, W. S.
國立臺灣大學	1994	Improvement in Radiation Hardness of n-MOSFET's with Gate Oxides Prepared by Multiple N20 Annealings	胡振國; Wu, Y. L.; Kuo, K. M.; Hwu, Jenn-Gwo; Wu, Y. L.; Kuo, K. M.
國立臺灣大學	1994	Rapid Thermal Post-Metallization Annealing Effect on the Reliability of Thin Gate Oxides	胡振國; Jeng, M. J.; Lin, H. S.; Hwu, Jenn-Gwo; Jeng, M. J.; Lin, H. S.
國立臺灣大學	1994	Stable Si MOS Devices with Oxynitride Gate Dielectrics	胡振國; Hwu, Jenn-Gwo
國立臺灣大學	1994	Characterization of Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors with Improved Gate Oxides Prepared by Repeated Rapid Thermal Annealings in N20	胡振國; Wu, Y. L.; Hwu, Jenn-Gwo; Wu, Y. L.
國立臺灣大學	1994	Design of Radiation Hard CMOS Circuits by Changing Aspect Ratios and Adding Compensation Resistors	胡振國; Wu, Y. L.; Hwu, Jenn-Gwo; Wu, Y. L.
國立臺灣大學	1994	Effect of Starting Oxide Preparation on Electrical Properties of Reoxidized Nitrided and N20-Annealed Gate Oxides	胡振國; Wu, Y. L.; Hwu, Jenn-Gwo; Wu, Y. L.
國立臺灣大學	1994	Eliminating the Surface Inversion Layer Under the Field Oxide by Low Pressure Rapid Thermal Annealing	胡振國; Wu, W. L; Lin, J. J.; Hwu, Jenn-Gwo; Wu, W. L; Lin, J. J.
國立臺灣大學	1994	Improvement in Radiation Hardness of Gate Oxides in Metal-Oxide- Semiconductor Devices by Repeated Rapid Thermal Oxidations in N20	胡振國; Wu, Y. L.; Hwu, Jenn-Gwo; Wu, Y. L.
國立臺灣大學	1994	Improvement of Hot-Carrier and Radiation Hardnesses in Metal-Oxide- Nitride-Oxide-Semiconductor Devices by Irradiation-Then-Anneal Treatments.	胡振國; Cahng-Liao, K. S.; Hwu, Jenn-Gwo; Cahng-Liao, K. S.
國立臺灣大學	1994	Reduction of Radiation-Induced Degradation in N-Channel Metal-Oxide- Semiconductor Field-Effect Transistors (MOSFET's) with Gate Oxides Prepared by Repeated Rapid Thermal N20 Annealing	胡振國; Wu, Y. L.; Kuo, K. M.; Hwu, Jenn-Gwo; Wu, Y. L.; Kuo, K. M.
國立臺灣大學	1994	Improvement in Radiation Hardness of n-MOSFET's with Gate Oxides Prepared by Multiple N20 Annealings	胡振國; Wu, Y. L.; Kuo, K. M.; Hwu, Jenn-Gwo; Wu, Y. L.; Kuo, K. M.
臺大學術典藏	1994	以含氮氧化矽閘極製程製作高穩定度矽金氧半元件	胡振國; 胡振國
臺大學術典藏	1994	Radiation Hardness on Fluorinated Oxides Prepared by Liquid Phase Deposition Method Following Rapid Thermal Annealing Treatment	Hwu, Jenn-Gwo; Lee, Si-Chen; Lu, W. S.; Chou, J. S.; Lu, W. S.; 胡振國; Chou, J. S.; 李嗣涔; Hwu, Jenn-Gwo; Lee, Si-Chen
臺大學術典藏	1994	Improvement in Radiation Hardness of n-MOSFET's with Gate Oxides Prepared by Multiple N20 Annealings	Wu, Y. L.; Kuo, K. M.; Hwu, Jenn-Gwo; 胡振國; Wu, Y. L.; Kuo, K. M.; Hwu, Jenn-Gwo; Wu, Y. L.; Kuo, K. M.
臺大學術典藏	1994	Application of Irradiation-Then-Nitridation to the Improvement of Radiation Hardness in MOS Gate Dielectrics	Lee, K. C.; Hwu, Jenn-Gwo; Lee, K. C.; 胡振國; Hwu, Jenn-Gwo
臺大學術典藏	1994	Effect of Fluorine on the Radiation Hardness of Gate Oxides Prepared by Liquid Phase Deposition Following Rapid Thermal Oxidation	Hwu, Jenn-Gwo; Lu, W. S.; 胡振國; Lu, W. S.; Hwu, Jenn-Gwo; Lu, W. S.
臺大學術典藏	1994	Improvement in Radiation Hardness of n-MOSFET's with Gate Oxides Prepared by Multiple N20 Annealings	Hwu, Jenn-Gwo; Wu, Y. L.; Kuo, K. M.; Hwu, Jenn-Gwo; 胡振國; Wu, Y. L.; Kuo, K. M.
臺大學術典藏	1994	Rapid Thermal Post-Metallization Annealing Effect on the Reliability of Thin Gate Oxides	Lin, H. S.; Hwu, Jenn-Gwo; Jeng, M. J.; 胡振國; Jeng, M. J.; Lin, H. S.; Hwu, Jenn-Gwo; Jeng, M. J.
國立臺灣大學	1993	抗輻射快速熱再氧化氮化氧化層製程之研究	胡振國
國立臺灣大學	1993	Aspect Ratio Design Consideration for Radiation-Hard CMOS Inverters	胡振國; Jeng, M. J.; Hwu, Jenn-Gwo; Jeng, M. J.

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