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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2018-01-24T07:42:57Z 不同快速退火條件對氧化鋅薄膜電晶體的特性探討 劉又銘; 荊鳳德; Liou, You-Ming; Chin, Albert
國立交通大學 2018-01-24T07:42:54Z 高性能氮化鋁鎵/氮化鎵電晶體之製作與分析 郭家銘; 荊鳳德; Guo, Jia-Ming; Chin, Albert
國立交通大學 2018-01-24T07:41:56Z 使用ZrO2 當做緩衝層的多階電阻式記憶體之電阻轉 態特性研究 朴美佳; 荊鳳德; BHOOLAXMI MEKALA; Chin, Albert
國立交通大學 2018-01-24T07:40:12Z 鋁摻雜氧化鋅薄膜電晶體之特性探討 杜文翔; 荊鳳德; Du, Wen-Xiang; Chin, albert
國立交通大學 2018-01-24T07:40:12Z 紫外光的曝曬及結構性變化對於p型氧化亞錫薄膜電晶體之特性影響 何任詮; 荊鳳德; He, Ren-Chiuan; Albert, Chin
國立交通大學 2018-01-24T07:40:06Z 擁有低溫快速退火條件的HfAlO鐵電記憶體 陳俊任; 荊鳳德; Chen, Jyun-Ren; Chin, Feng-Der
國立交通大學 2018-01-24T07:40:05Z 在介面改質與不同製程條件下,HTO鍺鐵電電容的特性探討 范景淳; 荊鳳德; Fan, Ching-Chun; Chin, Feng-Der
國立交通大學 2018-01-24T07:37:04Z 氧化矽與氧化鈦複合材料的電阻式記憶體電性切換特性探討 蘇雪柔; 荊鳳德; Amanda, Sharon DSouza; Chin, Albert
國立交通大學 2018-01-24T07:37:02Z 不同退火條件下對於p-type SnO 與 n-type SnO2 薄膜電晶體之特性探討 邊廷宇; 荊鳳德; Pien, Ting Yu; Chin, feng-de
國立交通大學 2018-01-24T07:37:01Z 對於不同溫度條件下的HfZrO與HfAlO鐵電記憶體電容之特性探討 林金翰; 荊鳳德; Lin, Jin-Han; Chin, Albert
國立交通大學 2016-03-29T00:01:16Z 新世代非揮發性記憶體之研究與發展 荊鳳德; CHIN ALBERT
國立交通大學 2016-03-29T00:01:13Z 下世代單一電晶體動態隨機存取記憶體 荊鳳德; CHIN ALBERT
國立交通大學 2016-03-29T00:01:10Z 低功耗鍺電晶體及快取元件 荊鳳德; CHIN ALBERT
國立交通大學 2016-03-28T08:17:44Z 新世代非揮發性記憶體之研究與發展 荊鳳德; CHIN ALBERT
國立交通大學 2016-03-28T08:17:42Z 鍺電晶體之費米能階鎖定及介面反應的探討與改進 荊鳳德; CHIN ALBERT
國立交通大學 2016-03-28T08:17:32Z 下世代單一電晶體動態隨機存取記憶體 荊鳳德; CHIN ALBERT
國立交通大學 2016-03-28T08:17:28Z 低功耗鍺電晶體及快取元件 荊鳳德; CHIN ALBERT
國立交通大學 2015-11-26T01:07:06Z 非對稱輕摻雜汲極金氧化半導體電晶體微波電性分析 張慈; Chang, Tsu; 荊鳳德; Chin, Albert
國立交通大學 2015-11-26T01:05:42Z 高效能高頻功率放大器使用控制電路調整基極電壓之研究 李佳芸; Lee, Chia-Yun; 荊鳳德; Chin, Albert
國立交通大學 2015-11-26T01:05:27Z 具有低電壓之金屬-氧化層-氮化層-氧化層-矽結構非揮發性記憶體之製程技術應用與研究 李宗翰; Lee, Tsung-Han; 荊鳳德; Chin, Albert
國立交通大學 2015-11-26T01:05:17Z 利用交錯訊號穿透提升隔離度低功率混頻器之研究 謝明倫; Hsieh, Ming-Lun; 荊鳳德
國立交通大學 2015-11-26T00:56:53Z 改變製程時氮氣含量對氮氧化鋅薄膜電晶體之特性探討 劉瀚凱; Liu, Han-Kai; 荊鳳德; Chin, Albert
國立交通大學 2015-11-26T00:56:50Z 不同金屬上電極對氧化鋯鉿金屬-氧化物-半導體鐵電電容特性影響 鍾丑智; Chung, Chou-Chih; 荊鳳德; Chin, Albert
國立交通大學 2015-10-15T03:04:56Z 雙贏策略:如何擷取核心概念與掌握趨勢 荊鳳德
國立交通大學 2015-05-12T02:58:11Z 利用自動對準低溫淺接面製造具有極低臨界電壓金屬閘極/高介電常數材質之互補金氧半場效電晶體之方法 荊鳳德
國立交通大學 2014-12-16T06:17:29Z 鐵電場效電晶體製造方法 陳三元; 孫嘉良; 荊鳳德
國立交通大學 2014-12-16T06:12:48Z 利用自動對準低溫淺接面製造具有極低臨界電壓金屬閘極/高介電常數材質之互補金氧半場效電晶體之方法 荊鳳德
國立交通大學 2014-12-13T10:51:43Z 金屬閘極/高介電係數材料互補式金氧半場效電晶體在45到22奈米世代之應用(I) 荊鳳德; CHIN ALBERT
國立交通大學 2014-12-13T10:50:24Z 金屬閘極及高介電係數介電質材料在奈米電子元件的應用 荊鳳德; CHIN ALBERT
國立交通大學 2014-12-13T10:49:10Z 下一世代鍺基板電子元件 荊鳳德; CHIN ALBERT
國立交通大學 2014-12-13T10:48:59Z 金屬閘極/高介電係數材料互補式金氧半場效電晶體在45到22奈米世代之應用(II) 荊鳳德; CHIN ALBERT
國立交通大學 2014-12-13T10:46:17Z 矽鍺應力層及非應力層的探討及高速電晶體之應用 荊鳳德; CHIN ALBERT
國立交通大學 2014-12-13T10:46:08Z 金屬閘極/高介電係數材料互補式金氧半場效電晶體在45到22奈米世代之應用(III) 荊鳳德; CHIN ALBERT
國立交通大學 2014-12-13T10:44:44Z 下一世代鍺基板電子元件 荊鳳德; CHIN ALBERT
國立交通大學 2014-12-13T10:44:01Z 高效能薄膜電晶體和以薄膜電晶體為基底之非揮發性記憶體元件 荊鳳德; CHIN ALBERT
國立交通大學 2014-12-13T10:43:05Z 高效能薄膜電晶體和以薄膜電晶體為基底之非揮發性記憶體元件 荊鳳德; CHIN ALBERT
國立交通大學 2014-12-13T10:43:00Z 互補式場效電晶體元件的高介電質材料電性 荊鳳德; CHIN ALBERT
國立交通大學 2014-12-13T10:42:28Z 學研合作計畫-次22奈米金屬閘極/高介電質場效電晶體及記憶體技術平台( I ) 荊鳳德; CHIN ALBERT
國立交通大學 2014-12-13T10:42:02Z 下一世代鍺基板電子元件 荊鳳德; CHIN ALBERT
國立交通大學 2014-12-13T10:41:44Z 學研合作計畫-次22奈米金屬閘極/高介電質場效電晶體及記憶體技術平台( II ) 荊鳳德; CHIN ALBERT
國立交通大學 2014-12-13T10:41:22Z 互補式場效電晶體元件的高介電質材料電性 荊鳳德; CHIN ALBERT
國立交通大學 2014-12-13T10:40:56Z 藍位移光電接收二極體 荊鳳德; 汪芳興; 李文芳; Wang Fang-Hsing
國立交通大學 2014-12-13T10:40:32Z 光電及微波元件技術發展---子計畫二:雷射二極體及量子井結構(I) 荊鳳德
國立交通大學 2014-12-13T10:39:54Z 分子束磊晶在低維量子元件的應用 荊鳳德
國立交通大學 2014-12-13T10:39:30Z 分子束磊晶在低維量子元件的應用 荊鳳德; CHIN ALBERT
國立交通大學 2014-12-13T10:39:26Z 高效能薄膜電晶體和以薄膜電晶體為基底之非揮發性記憶體元件 荊鳳德; CHIN ALBERT
國立交通大學 2014-12-13T10:38:52Z 全像光學記憶體之紅光源材料、調變器及偵測元件 荊鳳德; CHIN ALBERT
國立交通大學 2014-12-13T10:38:51Z 微機電系統校際整合研究---子計畫九:微機電之光感測元件及其積體電路 荊鳳德; CHIN ALBERT
國立交通大學 2014-12-13T10:37:55Z 新世代非揮發性記憶體之研究與發展 荊鳳德; CHIN ALBERT
國立交通大學 2014-12-13T10:37:10Z BESOI的新製程 荊鳳德; CHIN ALBERT

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