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教育部委託研究計畫 計畫執行:國立臺灣大學圖書館
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| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:42:57Z |
不同快速退火條件對氧化鋅薄膜電晶體的特性探討
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劉又銘; 荊鳳德; Liou, You-Ming; Chin, Albert |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:42:54Z |
高性能氮化鋁鎵/氮化鎵電晶體之製作與分析
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郭家銘; 荊鳳德; Guo, Jia-Ming; Chin, Albert |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:41:56Z |
使用ZrO2 當做緩衝層的多階電阻式記憶體之電阻轉 態特性研究
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朴美佳; 荊鳳德; BHOOLAXMI MEKALA; Chin, Albert |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:40:12Z |
鋁摻雜氧化鋅薄膜電晶體之特性探討
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杜文翔; 荊鳳德; Du, Wen-Xiang; Chin, albert |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:40:12Z |
紫外光的曝曬及結構性變化對於p型氧化亞錫薄膜電晶體之特性影響
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何任詮; 荊鳳德; He, Ren-Chiuan; Albert, Chin |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:40:06Z |
擁有低溫快速退火條件的HfAlO鐵電記憶體
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陳俊任; 荊鳳德; Chen, Jyun-Ren; Chin, Feng-Der |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:40:05Z |
在介面改質與不同製程條件下，HTO鍺鐵電電容的特性探討
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范景淳; 荊鳳德; Fan, Ching-Chun; Chin, Feng-Der |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:37:04Z |
氧化矽與氧化鈦複合材料的電阻式記憶體電性切換特性探討
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蘇雪柔; 荊鳳德; Amanda, Sharon DSouza; Chin, Albert |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:37:02Z |
不同退火條件下對於p-type SnO 與 n-type SnO2 薄膜電晶體之特性探討
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邊廷宇; 荊鳳德; Pien, Ting Yu; Chin, feng-de |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:37:01Z |
對於不同溫度條件下的HfZrO與HfAlO鐵電記憶體電容之特性探討
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林金翰; 荊鳳德; Lin, Jin-Han; Chin, Albert |
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