臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

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機構	日期	題名	作者
國立交通大學	2014-12-12T01:13:51Z	高功函數矽化鉺金屬閘極之高溫穩定氮氧化鉿鑭P型金氧半場效電晶體研究	周坤億; Kun-I CHOU; 荊鳳德; Albert Chin
國立交通大學	2014-12-12T01:13:48Z	使用完全矽化閘極-高介電常數介電質之低臨界電壓金氧半電晶體	陳冠霖; Guan Lin Chen; 荊鳳德; Albert Chin
國立交通大學	2014-12-12T01:13:47Z	金屬矽化物-高介電常數介電質-半導體場效應電晶體之電性研究	黃俊哲; 荊鳳德; Albert Chin
國立交通大學	2014-12-12T01:13:34Z	非對稱輕摻雜汲極金屬氧化半導體電晶體應用於2.4GHz 射頻功率放大器	陳膺任; Ying Jen Chen; 荊鳳德; Albert Chin
國立交通大學	2014-12-12T01:13:15Z	低臨限電壓與高驅動電流之薄膜電晶體在金屬鋁與介電層氧化鑭鉿上之研究	黃群懿; Chen-Yi Huang; 荊鳳德; Albert Chin
國立交通大學	2014-12-12T01:13:15Z	高介電常數介電質金屬-絕緣層-金屬電容應用於動態	李建弦; Chien-Hsien Li; 荊鳳德; Albert Chin
國立交通大學	2014-12-12T01:13:14Z	可寫入抹除高介電常數氮氧化鉿金屬-絕緣層-矽電容	林俊賢; Chun-Hsien Lin; 荊鳳德; Albert Chin
國立交通大學	2014-12-12T01:13:11Z	非對稱性LDD金氧半元件之單刀雙擲開關應用於超寬頻3.1~10.6GHz之研究	李佩諭; Pei-Yu Lee; 荊鳳德; 鄭裕庭; Albert Chin; Yu-Ting Cheng
國立成功大學	2008-01-25	利用高功函數矽化銥金屬閘極之高溫熱穩定性高介電係數氮氧化鑭鉿p-型金氧半場效電晶體	吳建宏;洪彬舫;荊鳳德;王水進

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