| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:29:04Z |
下世代單一電晶體動態隨機存取記憶體
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荊鳳德; CHIN ALBERT |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:28:59Z |
金屬閘極及高介電係數介電質材料在奈米電子元件的應用
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荊鳳德; CHIN ALBERT |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:28:57Z |
Ⅲ-Ⅴ族薄膜和晶格無缺陷技術在高頻、光電元件的應用及3D矽積體電路的整合(III)
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荊鳳德; CHIN ALBERT |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T03:11:20Z |
應用於超寬頻3.1~10.6GHz的多段式電感之電感電容調整式電壓控制振盪器
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翁正彥; 荊鳳德 |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T03:03:21Z |
使用金屬閘極及高介電常數介電質在絕緣層上有鍺電晶體之研究
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于殿聖; Yu,Dian-Sheng; 荊鳳德 |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T03:02:24Z |
高介電常數金屬-絕緣層-金屬電容電性及其可靠度之研究
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陳冠麟; Guan Lin Chen; 荊鳳德; Albert Chin |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T03:02:23Z |
高介電常數介電質於金屬-絕緣層-金屬電容之電性研究
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簡俊全; Chun-Chuan Chien; 荊鳳德; Albert Chin |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T03:02:22Z |
應用於超寬頻3.1-10.6 GHz之無線接收端之低雜訊放大器之設計
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陳懿範 ; Yi-Fan Chen; 荊鳳德; Albert Chin |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:52:18Z |
高介電係數介電質在金氧金電容之研究
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江國誠; Kuo-Cheng Chiang; 荊鳳德; Albert Chin |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:52:18Z |
具有低電壓以及良好電荷儲存能力之金屬-氧化層-氮化層-氧化層-矽結構非揮發性記憶體之研究
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楊學人; Hsueh-Jen Yang; 荊鳳德; Albert Chin |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:52:05Z |
切換感值之射頻電壓控制振盪器研究
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楊岱原; D.Y. Yang; 荊鳳德; AlbertChin |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:52:05Z |
1.8伏金氧半低雜訊放大器之設計應用於超寬頻UWB 3.1-10.6GHZ無線接收端
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邱子倫; 荊鳳德 |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:51:48Z |
於 3.1-10.6GHz 無線應用的超寬頻金氧半功率放大器
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陳科閔; Ke-Min Chen; 荊鳳德; Albert Chin |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:51:48Z |
應用於超寬頻3.1-10.6 GHz低雜訊放大器之設計
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王鴻瑋; Hung-Wei Wang; 荊鳳德; Albert Chin |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:51:36Z |
應用於超寬頻3.1-10.6GHz無線接收端之疊接回授架構與低功率電流再使用架構之低雜訊放大器之設計
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張國慶; Kuo-Ching Chang; 荊鳳德; Albert Chin |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:51:28Z |
高性能金屬閘極低溫多晶矽薄膜電晶體之研究
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沈香谷; Shen Hsiang Ku; 荊鳳德; Albert Chin |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:51:28Z |
高介電係數介電質材料應用於金氧金電容之研究
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黃靖謙; Huang, Ching-Chien; 荊鳳德; Chin, Feng-Der |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:47:32Z |
高介電常數閘極介電質熱氧化氧化鋁在金氧半電晶體的電性及應用
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廖金昌; Chin Chang Liao; 荊鳳德; Albert Chin |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:38:52Z |
使用二氧化矽/氧化鋁介電層運用在氮化鎵鋁/氮化鎵 金屬-絕緣層-半導體電晶體的研究
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邱于建; Chiu, Yu-Chien; 荊鳳德; Albert Chin |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:35:52Z |
使用二氧化鍺/二氧化鈦介電層之低功率電阻式記憶體之研究
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李鎧佑; Lee, Kai-Tu; 荊鳳德 |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:34:44Z |
應用於Ku-band之低功率主動式降頻混頻器
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黃于倩; Huang, Yu-Chien; 荊鳳德; Ching, Albert |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:34:43Z |
具有氧化鋁鑭與二氧化矽雙層閘極介電層低操作電壓 非晶態氧化銦鎵鋅薄膜電晶體之研究
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陳奕全; Chen, Yi-Chuan; 荊鳳德; IEEE Fellow; Optical Society of America (OSA) Fellow; Chin, Albert |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:34:41Z |
氮氧化鉿電荷捕獲層與二氧化鉿/二氧化矽雙層結構於非揮發性記憶體之特性研究
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傅暐洹; Fu, Wei-Huan; 荊鳳德; Chin, Albert |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:34:40Z |
二氧化鉿/二氧化鋯介電質應用於非晶態氧化銦鎵鋅薄膜電晶體之特性探討
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潘俊華; Pan, Chun-Hua; 荊鳳德 |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:34:39Z |
金屬閘極/高介電係數氧化層技術在氮化鎵電晶體之應用
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王茂南; Wang, Mao-Nan; 荊鳳德; Chin, Feng-Der |
