| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:37:02Z |
P通道快閃式記憶元件在長時間寫入抹除後由熱載子導致的可靠性問題研究
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:37:00Z |
薄閘氧化層深次微米n-MOS元件的熱載子可靠性分析
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:36:37Z |
先進奈米應力結構CMOS元件性能與可靠性變異之研究
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:36:04Z |
利用電荷幫浦分佈法研究深次微米N型MOS元件電漿製程傷害之可靠性
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:35:13Z |
不同型摻雜材料浮動閘極快閃式記憶元件可靠性問題之研究
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:34:54Z |
超薄氮化閘極氧化層奈米CMOS元件可靠性的新方法研究
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:34:26Z |
先進低電壓低功率及高效能快閃式記憶體之研究(II)
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:34:13Z |
先進低電壓低功率及高效能快閃式記憶體之研究(III)
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:33:04Z |
高介電氧化層奈米CMOS元件可靠性關鍵問題及界面量測技術研究(I)
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:31:43Z |
採用高層次操作模式及閘氧化層的高性能及可靠性SONOS快閃記憶體之研究(I)
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:31:32Z |
高介電氧化層奈米CMOS元件可靠性關鍵問題及界面量測技術研究(II)
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:31:15Z |
張力型矽鍺奈米CMOS元件通道工程及可靠性關鍵問題研究(I)
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:31:11Z |
採用高層次操作模式及閘氧化層的高性能及可靠性SONOS快閃記憶體之研究(II)
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:31:03Z |
高性能先進三維閘極CMOS應變元件設計---元件至電路的考量(I)
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:29:57Z |
採用高層次操作模式及閘氧化層的高性能及可靠性SONOS快閃記憶體之研究(III)
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:29:56Z |
張力型矽鍺奈米CMOS元件通道工程及可靠性關鍵問題研究(II)
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:29:48Z |
高速操作及高資料保存特性SONOS型式快閃記憶體之研究
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:29:10Z |
混合基片奈米CMOS元件技術中各種應力效應對傳輸特性及可靠性影響的研究
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:28:38Z |
高速操作及高資料保存特性SONOS型式快閃記憶體之研究
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T03:02:35Z |
奈米應變矽CMOS元件之通道背向散射特性與可靠度之相關性研究
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蔡亞峻; Ya-Jing Tsai; 莊紹勳; Steve Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:44:45Z |
探討金屬高介電層互補式金氧半電晶體崩潰的新穎方法
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呂品毅; Lu, Pin-Yi; 莊紹勳 |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:44:43Z |
雙介電層低功耗電阻式記憶體之設計與導通機制探討
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莊嘉暉; Chuang, Chia-Hui; 莊紹勳; Chung, Steve S. |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:44:42Z |
三維金氧半電晶體基本邏輯閘電路的變異性模型
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洪健珉; Hung,Chien-Ming; 莊紹勳; Chung,Steve S. |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:36:52Z |
二氧化鉿高介電層之N通道金氧半電晶體氧化層缺陷研究
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伍邦齊; Wu, Pang-Chi; 莊紹勳; Chung, Steve S. |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:36:49Z |
由實驗方法分析三維金氧半電晶體的彈道傳輸特性
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林宗慶; Lin, Tsung-Ching; 莊紹勳; Chung, Shao-Shiun |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:36:45Z |
二氧化鉿電阻式記憶體之探討與隨機電報雜訊分析
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陳敬翰; Chen, Ching-Han; 莊紹勳; Chung, Steve S. |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:36:44Z |
閘極漏電流的變異對三維金氧半電晶體的影響
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林尚墩; Lin, Shang Tun; 莊紹勳; Chung, Steve S. |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:36:39Z |
U型多重讀寫氮化矽快閃式記憶體之耐久性及資料保存探討
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王漢樽; Wang, Han-Tsun; 莊紹勳; Chung, Steve S. |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:30:45Z |
具有直接穿隧氧化層氮化矽記憶體資料保存特性之探討
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蔣步堯; Pu-Yao Chiang; 莊紹勳; S. S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:28:17Z |
深次微米與奈米金氧半元件氧化層界面與製程導致元件可靠性的探討
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陳尚志; Shang-Jr Chen; 莊紹勳; Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:28:12Z |
高頻CMOS元件基板SPICE模型建立
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林旭益; Shiuyi Lin; 莊紹勳; Dr. Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:28:05Z |
利用汲極端包覆性植入結構改善快閃記憶體的性能與可靠性之研究
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林新富; Lin Hsin-Fu; 莊紹勳; Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:28:04Z |
利用閘二極體量測法評估雙閘極金氧半電晶體的熱載子和負偏壓溫度可靠性
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羅大剛; Da-Kang Lo; 莊紹勳; Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:25:37Z |
用於射頻積體電路模擬的閘極電阻準確模型
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林漢紋; Hann-Wen Lin; 莊紹勳; Dr. Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:25:37Z |
使用多重氧化層技術成長之雙閘極金氧半元件偏壓與溫度效應之可靠性研究
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林清淳; Ching-Chung Lin; 莊紹勳; Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:25:37Z |
利用汲極崩潰熱電子注入操作的快閃式記憶體元件性能及可靠性研究
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陳映仁; Yin Jen Chen; 莊紹勳; Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:25:36Z |
不同浮動閘極材料P通道快閃記憶體性能與可靠性之改進
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蔡皓偉; Hao-Wei Tsai; 莊紹勳; Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:24:32Z |
高介電氧化層MOSFET元件之低漏電電荷幫浦量測技術
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朱益輝; Yi - Huei Ju; 莊紹勳; Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:24:12Z |
應變矽奈米CMOS元件的熱載子可靠性研究與分析
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劉又仁; You-Ren Liu; 莊紹勳; Dr. Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:23:59Z |
不同界面層與環狀植入對高介電氧化層CMOS元件可靠性影響之研究
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李冠德; Guan-De Lee; 莊紹勳; Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:23:54Z |
氮化矽記憶體元件資料保存及耐久性之探討
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陳靖泓; Ching Hong Chen; 莊紹勳; Dr. Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:23:21Z |
應用於電路模擬器含有溫度效應的複晶矽薄膜電晶體模式
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曾當貴; Tang Kui Tseng; 莊紹勳; Steven S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:23:21Z |
一種用於低功率及高效率快閃式記憶體之新型寫入方式
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莊子慶; Tze-Chihng Chuang; 莊紹勳; S. S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:23:21Z |
以基極偏壓增強熱電子注入操作的快閃式記憶元件可靠性研究
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羅思覺; Sze-Jua Luo; 莊紹勳; Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:23:17Z |
不同浮動閘極材料N通道快閃記憶體資料保存特性研究
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吳柏璋; Bo-chang Wu; 莊紹勳; Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:23:17Z |
電荷幫浦法於薄閘極氧化層淺接面延伸結構之N型金氧半元件電漿蝕刻傷害之研究
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高瑄苓; Hsuan-ling Kao; 莊紹勳; Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:20:51Z |
N與P通道快閃記憶體性能與可靠性之比較研究
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廖勝泰; Shen-Tai Liaw; 莊紹勳; Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:20:51Z |
利用P型浮動閘極材料改善N通道快閃記憶體的性能與可靠性之研究
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何之浩; Zhi-Hao Ho; 莊紹勳; Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:20:51Z |
可用於快閃式記憶體反覆寫入抹除前後之直流與暫態模式
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吳尚修; Shang-Hsiu Wu; 莊紹勳; Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:20:51Z |
淺凹槽隔離深次微米互補金氧半元件窄寬度效應熱載子可靠性的研究
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楊文杰; Wen-Jei Yang; 莊紹勳; Steve S. Chung |
