| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:41:58Z |
一種新穎的鰭式電晶體可程式神經陣列 在人工神經網路的應用
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陳泓文; 莊紹勳; Chen, Hung-Wen; Chung, Steve S. |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:38:07Z |
利用介電層熔斷崩潰之電阻式記憶單元設計新穎的內嵌式可重寫單次寫入唯讀記憶體
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程皓瑋; 莊紹勳; Cheng, Hao-Wei; Zhuang, Shao-Xun |
| 國立交通大學 |
2017-08-01 |
半導體裝置結構
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林宜憲; 謝易叡; 莊紹勳 |
| 國立交通大學 |
2017-06-16 |
半導體裝置結構
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潘正聖; 趙堉斌; 謝易叡; 莊紹勳 |
| 國立交通大學 |
2017-03-16 |
介電質熔絲型記憶電路及其操作方法
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黃智宏; 謝易叡; 莊紹勳 |
| 國立交通大學 |
2016-12-20T05:04:15Z |
非揮發性電阻式記憶體及其操作
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莊紹勳; 謝易叡 |
| 國立交通大學 |
2016-12-20T03:57:10Z |
次微米斜角植入式MOS元件漏電流及熱載子效應之探討
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莊紹勳 |
| 國立交通大學 |
2016-12-20T03:56:43Z |
下一世代嵌入式新架構電阻式記憶體關鍵技術開發
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莊紹勳 |
| 國立交通大學 |
2016-03-29T00:01:14Z |
低功耗互補式穿隧場效電晶體的設計與製作 (I)
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2016-03-28T08:17:32Z |
高性能先進三維閘極CMOS應變元件設計-元件至電路的考量( III )
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2016-03-28T08:17:22Z |
低功耗互補式穿隧場效電晶體的設計與製作 (I)
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:07:58Z |
運用隨機電報訊號方法分析三閘極電晶體的多層級氧化層陷阱
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蔡侑璉; Tsai, You-Lian; 莊紹勳; Chung, Steve S. |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:06:42Z |
二氧化鉿電阻式記憶體多位元操作之隨機電報雜訊分析
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黃英傑; Huang, Ying-Jie; 莊紹勳; Chung, Steve S. |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:02:27Z |
雙介電層低功耗電阻式記憶體之設計與最佳化
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楊勝博; Yang, Shang-Po; 莊紹勳; 汪大暉; Chung, Shao-Shiun; Wang, Tahui |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:02:27Z |
高介電層金屬閘極CMOS電晶體功函數與臨界電壓變異之關聯性探討
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王元鼎; Wang, Yuan-Ding; 莊紹勳; 汪大暉; Chung, Shao-Shiun; Wang, Ta-Hui |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:02:27Z |
運用介電層熔斷崩潰機制設計新穎的單次寫入唯讀記憶體
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黃智宏; Huang, Zhi-Hong; 莊紹勳; Chung, Shao-Shiun |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T00:57:07Z |
互補式面穿隧場效電晶體之結構設計與低功耗電路應用探討
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趙堉斌; Zhao, Yu-Bin; 莊紹勳; Chung, Shao-Shiun |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T00:56:57Z |
淺溝渠隔離氧化層對三維閘極電晶體的可靠性影響
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吳嘉偉; Wu, Chia-Wei; 莊紹勳; Chung, Shao-Shiun |
| 國立交通大學 |
2014-12-16T06:13:50Z |
使用無源極和汲極接面場效電晶體之基本互補式邏輯閘之構造及其製造方法
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莊紹勳; 謝易叡 |
| 國立交通大學 |
2014-12-16T06:12:08Z |
使用無源極和汲極接面場效電晶體之基本互補式邏輯閘之構造及其製造方法
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莊紹勳; 謝易叡 |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:51:52Z |
張力型矽鍺奈米CMOS元件通道工程及可靠性關鍵問題研究(III)
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:51:36Z |
高速操作及高資料保存特性SONOS型式快閃記憶體之研究
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:51:21Z |
混合基片奈米CMOS元件技術中各種應力效應對傳輸特性及可靠性影響的研究
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:49:40Z |
下一世代高性能及高可靠性的N通道MOS元件設計及量測技術探討
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:49:26Z |
利用氘化及氮化處理製備高可靠性薄閘氧化層深次微米NMOS元件
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:49:24Z |
用於快閃式記憶元件及電路性能與可靠性模擬的元件模式
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:48:12Z |
混合基片奈米CMOS元件技術中各種應力效應對傳輸特性及可靠性影響的研究
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:48:01Z |
高性能先進三維閘極CMOS應變元件設計-元件至電路的考量 (II)
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:46:04Z |
奈米CMOS元件不均勻、雜和氧化層缺陷導致臨限電壓變異之研究(I)
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:45:16Z |
下一世代高性能及高可靠性的N通道MOS元件設計及量測技術探討
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:43:18Z |
先進奈米應力結構CMOS元件性能與可靠性變異之研究
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:42:09Z |
下一世代高性能及高可靠性的N通道MOS元件設計及量測技術探討
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:41:33Z |
先進奈米應力結構CMOS元件性能與可靠性變異之研究
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:40:23Z |
次微米MOS元件在非熱平衡下含氧化層傷害之熱電子閘極電流模式
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:39:39Z |
EPROM記憶元件中熱電子效應的可靠性研究
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:39:34Z |
先進低電壓低功率及高效能快閃式記憶體之研究(I)
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:39:32Z |
高介電閘氧化層深次微米MOS元件電漿製程傷害可靠性之研究
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:39:22Z |
次微米MOS元件中反向短通道效應特性分析與模式
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:39:09Z |
具有反向短通道效應N型MOS元件性能及可靠性的研究
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:39:03Z |
快閃式記憶元件熱電子效應的可靠性分析
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:37:02Z |
P通道快閃式記憶元件在長時間寫入抹除後由熱載子導致的可靠性問題研究
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:37:00Z |
薄閘氧化層深次微米n-MOS元件的熱載子可靠性分析
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:36:37Z |
先進奈米應力結構CMOS元件性能與可靠性變異之研究
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:36:04Z |
利用電荷幫浦分佈法研究深次微米N型MOS元件電漿製程傷害之可靠性
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:35:13Z |
不同型摻雜材料浮動閘極快閃式記憶元件可靠性問題之研究
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:34:54Z |
超薄氮化閘極氧化層奈米CMOS元件可靠性的新方法研究
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:34:26Z |
先進低電壓低功率及高效能快閃式記憶體之研究(II)
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:34:13Z |
先進低電壓低功率及高效能快閃式記憶體之研究(III)
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:33:04Z |
高介電氧化層奈米CMOS元件可靠性關鍵問題及界面量測技術研究(I)
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:31:43Z |
採用高層次操作模式及閘氧化層的高性能及可靠性SONOS快閃記憶體之研究(I)
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莊紹勳; Chung Steve S |
