| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:10:43Z |
超大型積體電路類比數位混合式模擬器之設計
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白祥麟; Jony Shiang Lin Bie; 莊紹勳; Steve S.Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:10:42Z |
次微米MOS元件中因熱載子效應引起氧化層傷害之探討
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唐嘉宏; Chia-Hung Tung; 莊紹勳; Steve S.Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:10:42Z |
次微米大斜角植入式金氧半元件之特性分析與設計準則
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周鵬程; Peng-Cheng Chou; 莊紹勳; Steve S.Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:09:58Z |
LOCOS閘極結構次微米金氧半元件的模式研究
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張儉華; Chang, Chien-Hwa; 莊紹勳; Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:09:31Z |
短通道金氧半電晶體的本質電容解析模式
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吳振銘; WU, ZHEN-MING; 莊紹勳; ZHUANG, SHAO-XUN |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:09:30Z |
次微米金氧半元件熱電子效應的二維流體動力模擬與模式
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李建宏; LI, JIAN-HONG; 莊紹勳; ZHUANG, SHAO-XU |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:07:50Z |
交流工作下金氧半電晶體熱電子效應的暫態模擬與模式
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許博欽; Xu, Bo-Qin; 莊紹勳; Zhuang, Shao-Xun |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:07:18Z |
交流工作下金氧半電晶體熱電子效應的暫態模擬與模式
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許博欽; XU,BO-QIN; 莊紹勳; ZHUANG,SHAO-XUN |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:07:18Z |
次微米 LDD金氧半電晶體製程及元件的設計
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楊濬哲; YANG,JUN-ZHE; 莊紹勳; ZHUANG,SHAO-XUN |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:07:18Z |
利用波形鬆弛法於超大型積體電氌的平行模擬
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張台生; ZHANG,TAI-SHENG; 莊紹勳; ZHUANG,SHAO-XUN |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:07:17Z |
三維雜散電容模擬器及其在唯讀記憶體設計上的應用
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黃俊達; HUANG,JUN-DA; 莊紹勳; ZHUANG,SHAO-XUN |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:07:09Z |
電路模擬用金氧半電晶體熱電子效應模式
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李正昇; LI,ZHENG-SHENG; 莊紹勳; ZHUANG,SHAO-XUN |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:07:08Z |
渠溝隔離金氧半電晶體的糢擬與模式
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李東奇; LI,DONG-QI; 莊紹勳; ZHUANG,SHAO-XUN |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:05:03Z |
具有佈植通道的短通道MOSFET電流-電壓模式
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林讚西; LIN, ZAN-XI; 莊紹勳; ZHUANG, SHAO-XUN |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:05:02Z |
LDD 金氧半電晶體本質電容模式
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邱垂青; GIU, CHUI-GING; 莊紹勳; ZHUANG, SHAO-XUN |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:03:04Z |
次微米大斜角植入式金氧半元件之特性分析與設計準則
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周鵬程; 莊紹勳 |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:55:13Z |
CMOS製程相容U型多重讀寫氮化矽快閃式記憶體之物理機制與可靠性探討
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蔡政達; Tsai, Cheng-Ta; 莊紹勳; Chung, Steve S. |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:55:06Z |
使用新的量測方法探討三面閘極金氧半電晶體 氧化層隨機陷阱造成之擾動效應
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蔡漢旻; Tsai, Hanmin; 莊紹勳; Chung, Steve S. |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:46:21Z |
二位元分離式閘極氮化矽快閃式記憶體之先進操作方法探討
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周承翰; 莊紹勳 |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:37:27Z |
決定高效能蕭特基金氧半場效應電晶體傳輸參數的新實驗方法
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鄭士嵩; Cheng, Xhiz-Song; 莊紹勳; Chung, Steve S. |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:37:24Z |
二位元分離式閘極氮化矽快閃式記憶體之漏電機制探討
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何永涵; Ho, Yung-Hang; 莊紹勳; Chung, Steve |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:37:18Z |
應變矽CMOS元件中隨機摻雜與隨機界面缺陷引起的臨界電壓變異度研究
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程政穎; Cheng, Cheng-Ying; 莊紹勳; Chung, Steve-S. |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:37:14Z |
二氧化鉿基底電阻式記憶體之動態轉換物理模型
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曾元宏; Tseng, Yuan-Hong; 莊紹勳; Chung, Steve |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:34:13Z |
先進氮化超薄氧化層及堆疊氧化層結構CMOS元件在熱載子與高溫負偏壓操作下的探討
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顧子強; Zi-Qiang Ku; 莊紹勳; Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:32:05Z |
先進互補式金氧半元件的閘極層厚度1nm範圍下之低漏電電荷幫浦量測技術
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馮信榮; Feng Hsin Jung; 莊紹勳; Steve S. Chung |
