| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:37:24Z |
二位元分離式閘極氮化矽快閃式記憶體之漏電機制探討
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何永涵; Ho, Yung-Hang; 莊紹勳; Chung, Steve |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:37:18Z |
應變矽CMOS元件中隨機摻雜與隨機界面缺陷引起的臨界電壓變異度研究
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程政穎; Cheng, Cheng-Ying; 莊紹勳; Chung, Steve-S. |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:37:14Z |
二氧化鉿基底電阻式記憶體之動態轉換物理模型
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曾元宏; Tseng, Yuan-Hong; 莊紹勳; Chung, Steve |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:34:13Z |
先進氮化超薄氧化層及堆疊氧化層結構CMOS元件在熱載子與高溫負偏壓操作下的探討
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顧子強; Zi-Qiang Ku; 莊紹勳; Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:32:05Z |
先進互補式金氧半元件的閘極層厚度1nm範圍下之低漏電電荷幫浦量測技術
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馮信榮; Feng Hsin Jung; 莊紹勳; Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:27:11Z |
二氧化鉿薄膜電阻式隨機存取記憶體之轉換機制及可靠度探討
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王振鵬; Wang, Jen-Peng; 莊紹勳; Chung, Steve S. |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:27:07Z |
隨機電報訊號量測於高閘極介電層N通道金氧半電晶體汲極電流波動之探討
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張健宏; Chang, Chien-Hung; 莊紹勳; Chung, Steve S. |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:27:03Z |
奈米級蕭特基金氧半場效電晶體之載子傳輸特性與通道背向散射研究
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鄧安舜; Teng, An-Shun; 莊紹勳; Chung, Steve S. |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:27:01Z |
隨機電報訊號量測法應用於前瞻CMOS元件應變技術引致的汲極電流不穩定性之研究
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林米華; Lin, Mi-Hua; 莊紹勳; Chung, Steve S. |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:13:51Z |
以鉿為基底之高介電常數閘極介電層之N通道金氧半電晶體可靠度探討
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曾友良; Yu-Liang Tseng; 莊紹勳; Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:13:49Z |
探討高閘極介電層N通道金氧半電晶體的新穎閘極電流隨機電報量測法
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張家銘; Chia-Ming Chang; 莊紹勳; Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:13:48Z |
二位元SONOS快閃式記憶體之物理機制與可靠性探討
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郭建鴻; Jian-Hung Kuo; 莊紹勳; Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:13:44Z |
奈米應變矽元件載子傳輸模型分析與其可靠度相關性探討
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張文彥; Derrick W. Chang; 莊紹勳; Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:13:41Z |
一種改良的介面缺陷之橫向剖面分析應用於奈米級應變矽CMOS元件之可靠度探討
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謝易叡; E Ray Hsieh; 莊紹勳; Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:13:04Z |
低電壓且高速操作的P通道快閃式記憶體元件性能及可靠性研究
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黃耀賢; Yao-Hsien Huang; 莊紹勳; Steve S. Chung |
