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机构	日期	题名	作者
國立交通大學	2014-12-13T10:49:24Z	用於快閃式記憶元件及電路性能與可靠性模擬的元件模式	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:48:12Z	混合基片奈米CMOS元件技術中各種應力效應對傳輸特性及可靠性影響的研究	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:48:01Z	高性能先進三維閘極CMOS應變元件設計-元件至電路的考量 (II)	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:46:04Z	奈米CMOS元件不均勻、雜和氧化層缺陷導致臨限電壓變異之研究(I)	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:45:16Z	下一世代高性能及高可靠性的N通道MOS元件設計及量測技術探討	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:43:18Z	先進奈米應力結構CMOS元件性能與可靠性變異之研究	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:42:09Z	下一世代高性能及高可靠性的N通道MOS元件設計及量測技術探討	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:41:33Z	先進奈米應力結構CMOS元件性能與可靠性變異之研究	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:40:23Z	次微米MOS元件在非熱平衡下含氧化層傷害之熱電子閘極電流模式	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:39:39Z	EPROM記憶元件中熱電子效應的可靠性研究	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:39:34Z	先進低電壓低功率及高效能快閃式記憶體之研究(I)	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:39:32Z	高介電閘氧化層深次微米MOS元件電漿製程傷害可靠性之研究	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:39:22Z	次微米MOS元件中反向短通道效應特性分析與模式	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:39:09Z	具有反向短通道效應N型MOS元件性能及可靠性的研究	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:39:03Z	快閃式記憶元件熱電子效應的可靠性分析	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:37:02Z	P通道快閃式記憶元件在長時間寫入抹除後由熱載子導致的可靠性問題研究	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:37:00Z	薄閘氧化層深次微米n-MOS元件的熱載子可靠性分析	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:36:37Z	先進奈米應力結構CMOS元件性能與可靠性變異之研究	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:36:04Z	利用電荷幫浦分佈法研究深次微米N型MOS元件電漿製程傷害之可靠性	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:35:13Z	不同型摻雜材料浮動閘極快閃式記憶元件可靠性問題之研究	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:34:54Z	超薄氮化閘極氧化層奈米CMOS元件可靠性的新方法研究	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:34:26Z	先進低電壓低功率及高效能快閃式記憶體之研究(II)	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:34:13Z	先進低電壓低功率及高效能快閃式記憶體之研究(III)	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:33:04Z	高介電氧化層奈米CMOS元件可靠性關鍵問題及界面量測技術研究(I)	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:31:43Z	採用高層次操作模式及閘氧化層的高性能及可靠性SONOS快閃記憶體之研究(I)	莊紹勳; Chung Steve S

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