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機構 日期 題名 作者
國立交通大學 2014-12-12T02:23:54Z 氮化矽記憶體元件資料保存及耐久性之探討 陳靖泓; Ching Hong Chen; 莊紹勳; Dr. Steve S. Chung
國立交通大學 2014-12-12T02:23:21Z 應用於電路模擬器含有溫度效應的複晶矽薄膜電晶體模式 曾當貴; Tang Kui Tseng; 莊紹勳; Steven S. Chung
國立交通大學 2014-12-12T02:23:21Z 一種用於低功率及高效率快閃式記憶體之新型寫入方式 莊子慶; Tze-Chihng Chuang; 莊紹勳; S. S. Chung
國立交通大學 2014-12-12T02:23:21Z 以基極偏壓增強熱電子注入操作的快閃式記憶元件可靠性研究 羅思覺; Sze-Jua Luo; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學 2014-12-12T02:23:17Z 不同浮動閘極材料N通道快閃記憶體資料保存特性研究 吳柏璋; Bo-chang Wu; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學 2014-12-12T02:23:17Z 電荷幫浦法於薄閘極氧化層淺接面延伸結構之N型金氧半元件電漿蝕刻傷害之研究 高瑄苓; Hsuan-ling Kao; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學 2014-12-12T02:20:51Z N與P通道快閃記憶體性能與可靠性之比較研究 廖勝泰; Shen-Tai Liaw; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學 2014-12-12T02:20:51Z 利用P型浮動閘極材料改善N通道快閃記憶體的性能與可靠性之研究 何之浩; Zhi-Hao Ho; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學 2014-12-12T02:20:51Z 可用於快閃式記憶體反覆寫入抹除前後之直流與暫態模式 吳尚修; Shang-Hsiu Wu; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學 2014-12-12T02:20:51Z 淺凹槽隔離深次微米互補金氧半元件窄寬度效應熱載子可靠性的研究 楊文杰; Wen-Jei Yang; 莊紹勳; Steve S. Chung

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