| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:23:54Z |
氮化矽記憶體元件資料保存及耐久性之探討
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陳靖泓; Ching Hong Chen; 莊紹勳; Dr. Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:23:21Z |
應用於電路模擬器含有溫度效應的複晶矽薄膜電晶體模式
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曾當貴; Tang Kui Tseng; 莊紹勳; Steven S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:23:21Z |
一種用於低功率及高效率快閃式記憶體之新型寫入方式
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莊子慶; Tze-Chihng Chuang; 莊紹勳; S. S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:23:21Z |
以基極偏壓增強熱電子注入操作的快閃式記憶元件可靠性研究
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羅思覺; Sze-Jua Luo; 莊紹勳; Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:23:17Z |
不同浮動閘極材料N通道快閃記憶體資料保存特性研究
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吳柏璋; Bo-chang Wu; 莊紹勳; Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:23:17Z |
電荷幫浦法於薄閘極氧化層淺接面延伸結構之N型金氧半元件電漿蝕刻傷害之研究
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高瑄苓; Hsuan-ling Kao; 莊紹勳; Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:20:51Z |
N與P通道快閃記憶體性能與可靠性之比較研究
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廖勝泰; Shen-Tai Liaw; 莊紹勳; Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:20:51Z |
利用P型浮動閘極材料改善N通道快閃記憶體的性能與可靠性之研究
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何之浩; Zhi-Hao Ho; 莊紹勳; Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:20:51Z |
可用於快閃式記憶體反覆寫入抹除前後之直流與暫態模式
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吳尚修; Shang-Hsiu Wu; 莊紹勳; Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:20:51Z |
淺凹槽隔離深次微米互補金氧半元件窄寬度效應熱載子可靠性的研究
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楊文杰; Wen-Jei Yang; 莊紹勳; Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:20:50Z |
快閃式記憶元件中熱載子注入導致的可靠性問題研究
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易成名; Cherng-Ming Yih; 莊紹勳; Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:19:42Z |
單調迭代法半導體元件方程式數值解
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李義明; Li, Yi-Ming; 劉晉良; 莊紹勳; Liu, Jinn-Liang; Steve Chung, S. |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:18:22Z |
次微米N型MOS元件中反向短通道效應之模式及其特性分析
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鄭水明; 莊紹勳 |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:17:33Z |
高介電係數夾層LDD N型金氧半元件可靠性設計之探討
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王政烈; Wang, Cheng-Lieh; 莊紹勳; Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:17:32Z |
P通道金屬半快閃式記憶體中不同程式化的可靠性評估
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郭松年; Kuo, Song-Nian; 莊紹勳; Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:15:40Z |
次微米MOS元件中熱電子導致氧化層傷害及元件特性退化分析
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李建宏; Lee, Giahn-Horng; 莊紹勳; Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:15:38Z |
供電路模擬器SPICE使用之複晶矽薄膜電晶體模式
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鄭基廷; Cheng, Chi-Ting; 莊紹勳; Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:15:32Z |
半空乏型矽氧化絕緣基片MOS元件之熱電子可靠性
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葉俊祺; Yeh, Jun-Chyi; 莊紹勳; Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:13:52Z |
交換電流式積分器之設計及其在濾波器設計上之應用
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詹瑞德; Luem Te Chan; 莊紹勳; Steve Shao-Shiun Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:13:49Z |
不同氧化層厚度次微米 LDD MOS 元件中熱載子導致元件的退化分析
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吳俊沛; Jiunn-Pey Wu; 莊紹勳; Steve Shao-Shiun Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:13:47Z |
不同閘極結構高壓複晶矽薄膜電晶體的二維模擬與分析
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雷家正; Chia-Cheng Lei; 莊紹勳; Steve Shao-Shiun Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:13:46Z |
次微米MOS SOI元件之分析與設計
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鄭躍晴; Yao-Chin Cheng; 莊紹勳; Steve Shao-Shiun Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:13:37Z |
次微米LDD結構金氧半元件之熱載子可靠性分析與模式研究
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楊濬哲; Jiuun-Jer Yang; 莊紹勳; Steve Shao-Shiun Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:12:48Z |
小型化金氧半場效電晶體之新的參數擷取法與模式之建立
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郭治群; Guo, Zhi Qun; 莊紹勳; 徐清祥; Zhuang, Shao Xun; Xu, Qing Xiang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:12:11Z |
VLSI可靠性中由熱載子產生氧化層傷害的模式與模擬
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蘇振順; jen-Shien Su; 莊紹勳; Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:10:43Z |
超大型積體電路類比數位混合式模擬器之設計
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白祥麟; Jony Shiang Lin Bie; 莊紹勳; Steve S.Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:10:42Z |
次微米MOS元件中因熱載子效應引起氧化層傷害之探討
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唐嘉宏; Chia-Hung Tung; 莊紹勳; Steve S.Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:10:42Z |
次微米大斜角植入式金氧半元件之特性分析與設計準則
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周鵬程; Peng-Cheng Chou; 莊紹勳; Steve S.Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:09:58Z |
LOCOS閘極結構次微米金氧半元件的模式研究
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張儉華; Chang, Chien-Hwa; 莊紹勳; Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:09:31Z |
短通道金氧半電晶體的本質電容解析模式
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吳振銘; WU, ZHEN-MING; 莊紹勳; ZHUANG, SHAO-XUN |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:09:30Z |
次微米金氧半元件熱電子效應的二維流體動力模擬與模式
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李建宏; LI, JIAN-HONG; 莊紹勳; ZHUANG, SHAO-XU |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:07:50Z |
交流工作下金氧半電晶體熱電子效應的暫態模擬與模式
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許博欽; Xu, Bo-Qin; 莊紹勳; Zhuang, Shao-Xun |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:07:18Z |
交流工作下金氧半電晶體熱電子效應的暫態模擬與模式
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許博欽; XU,BO-QIN; 莊紹勳; ZHUANG,SHAO-XUN |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:07:18Z |
次微米 LDD金氧半電晶體製程及元件的設計
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楊濬哲; YANG,JUN-ZHE; 莊紹勳; ZHUANG,SHAO-XUN |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:07:18Z |
利用波形鬆弛法於超大型積體電氌的平行模擬
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張台生; ZHANG,TAI-SHENG; 莊紹勳; ZHUANG,SHAO-XUN |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:07:17Z |
三維雜散電容模擬器及其在唯讀記憶體設計上的應用
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黃俊達; HUANG,JUN-DA; 莊紹勳; ZHUANG,SHAO-XUN |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:07:09Z |
電路模擬用金氧半電晶體熱電子效應模式
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李正昇; LI,ZHENG-SHENG; 莊紹勳; ZHUANG,SHAO-XUN |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:07:08Z |
渠溝隔離金氧半電晶體的糢擬與模式
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李東奇; LI,DONG-QI; 莊紹勳; ZHUANG,SHAO-XUN |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:05:03Z |
具有佈植通道的短通道MOSFET電流-電壓模式
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林讚西; LIN, ZAN-XI; 莊紹勳; ZHUANG, SHAO-XUN |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:05:02Z |
LDD 金氧半電晶體本質電容模式
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邱垂青; GIU, CHUI-GING; 莊紹勳; ZHUANG, SHAO-XUN |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:03:04Z |
次微米大斜角植入式金氧半元件之特性分析與設計準則
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周鵬程; 莊紹勳 |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:55:13Z |
CMOS製程相容U型多重讀寫氮化矽快閃式記憶體之物理機制與可靠性探討
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蔡政達; Tsai, Cheng-Ta; 莊紹勳; Chung, Steve S. |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:55:06Z |
使用新的量測方法探討三面閘極金氧半電晶體 氧化層隨機陷阱造成之擾動效應
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蔡漢旻; Tsai, Hanmin; 莊紹勳; Chung, Steve S. |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:46:21Z |
二位元分離式閘極氮化矽快閃式記憶體之先進操作方法探討
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周承翰; 莊紹勳 |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:37:27Z |
決定高效能蕭特基金氧半場效應電晶體傳輸參數的新實驗方法
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鄭士嵩; Cheng, Xhiz-Song; 莊紹勳; Chung, Steve S. |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:37:24Z |
二位元分離式閘極氮化矽快閃式記憶體之漏電機制探討
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何永涵; Ho, Yung-Hang; 莊紹勳; Chung, Steve |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:37:18Z |
應變矽CMOS元件中隨機摻雜與隨機界面缺陷引起的臨界電壓變異度研究
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程政穎; Cheng, Cheng-Ying; 莊紹勳; Chung, Steve-S. |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:37:14Z |
二氧化鉿基底電阻式記憶體之動態轉換物理模型
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曾元宏; Tseng, Yuan-Hong; 莊紹勳; Chung, Steve |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:34:13Z |
先進氮化超薄氧化層及堆疊氧化層結構CMOS元件在熱載子與高溫負偏壓操作下的探討
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顧子強; Zi-Qiang Ku; 莊紹勳; Steve S. Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:32:05Z |
先進互補式金氧半元件的閘極層厚度1nm範圍下之低漏電電荷幫浦量測技術
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馮信榮; Feng Hsin Jung; 莊紹勳; Steve S. Chung |
