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机构	日期	题名	作者
國立交通大學	2015-11-26T01:02:55Z	藉由雙閘極製程改善成長於碳化矽基板上氮化鋁鎵/氮化鎵高速電子遷移率電晶體元件之線性度	蘇煥富; Su Huan-Fu; 張翼; Edward Yi-Chang

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