|
English
|
正體中文
|
简体中文
|
總筆數 :0
|
|
造訪人次 :
53268934
線上人數 :
959
教育部委託研究計畫 計畫執行:國立臺灣大學圖書館
|
|
|
"許健"的相關文件
顯示項目 76-85 / 107 (共11頁)
<< < 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 > >>
每頁顯示[10|25|50]項目
| 亞洲大學 |
2011 |
A Novel 800V Multiple RESURF LDMOS Utilizing
|
許健;Sheu, Gene;楊紹明;Yang, Shao-Ming |
| 亞洲大學 |
2010.01 |
Analysis future and obstacle of solar building substance
|
陳秀宜;Chen, Shiu-Yi;鄭正豐;C.F.Cheng;許健;Sheu, Gene |
| 亞洲大學 |
2010-11 |
A 5V/200V SOI Device with a Vertically Linear Graded Drift Region
|
楊紹明;Yang, Shao-Ming;許健;Sheu, Gene;蔡宗叡;Tsai, Jung-Ruey |
| 亞洲大學 |
2010-11 |
A 2D Analytical Model of Bulk-silicon Triple RESURF Devices
|
許健;Sheu, Gene |
| 亞洲大學 |
2010-11 |
A Novel 800V Multiple RESURF LDMOS Utilizing Linear P-top Rings
|
許健;Sheu, Gene;楊紹明;Yang, Shao-Ming |
| 亞洲大學 |
2010-11 |
An 800 Volts High Voltage Interconnection Level Shifter Using Floating Poly Field Plate (FPFP) Method
|
許健;Sheu, Gene;楊紹明;Yang, Shao-Ming |
| 亞洲大學 |
2010-10 |
ESD Simulation on GGNMOS for 40V BCD
|
許健;Sheu, Gene;楊紹明;Yang, Shao-Ming |
| 亞洲大學 |
2010-07 |
An Analytical Model of Surface Electric Field Distributionsin in Ultrahigh-Voltage Metal–Oxide–Semiconductor Devices
|
許健;Sheu, Gene;楊紹明;Yang, Shao-Ming |
| 亞洲大學 |
2010-07 |
An Analytical Model of Surface Electric Field Distributions in Ultrahigh-Voltage Buried P-top Lateral Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Devices
|
許健;Sheu, Gene;楊紹明;Yang, Shao-Ming;張怡楓;Chang, Yi-Fong;曹世昌;Tsaur, Shyh-Chang |
| 亞洲大學 |
2010-03 |
Combining 2D and 3D Device Simulations for Optimizing LDMOS Design
|
許健;Sheu, Gene;楊紹明;Yang, Shao-Ming |
顯示項目 76-85 / 107 (共11頁)
<< < 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 > >>
每頁顯示[10|25|50]項目
|
