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國立交通大學	2018-01-24T07:37:55Z	實現在28奈米製程下0.4V近臨界電壓之三態內容可定址記憶體設計	詹耘昇; 莊景德; 黃威; Chan, Yun-Sheng; Chuang, Ching-Te; Hwang, Wei

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