臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

	English \| 正體中文 \| 简体中文 \| 總筆數 :0
	造訪人次 : 52875551 線上人數 : 706 教育部委託研究計畫計畫執行:國立臺灣大學圖書館

搜尋範圍

進階搜尋

登入

管理

臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

關於TAIR
	計畫說明

瀏覽
	典藏機構
	作者
	題名
	日期
	統計圖表
	機構即時統計
	學術趨勢

消息
	2019臺灣學術機構典藏研討會
	機構典藏系統RC7版本已發佈

著作權
	出版社及期刊政策查詢
	TAIR著作權會議記錄

相關連結
	機構典藏計畫網站
	ROAR
	OpenDOAR
	SHERPA
	OAIster
	JAIRO
	Ira
	DSPACE
	RWWR
	臺大學術典藏NTU Scholars

"譚湘瑜"的相關文件

回到依作者瀏覽
依題名排序	依日期排序

顯示項目 1-11 / 11 (共1頁)
1
每頁顯示[10|25|50]項目

機構	日期	題名	作者
中國文化大學	2013-08	具有最佳熱穩定及電性穩定度的極薄高介電常數材料做為電容結構專用於記憶體元件之研究與製作	譚湘瑜
中國文化大學	2012~2013	利用3D模擬與製程技術製作最佳的氮化金屬與High-k閘極結構用於 CMOS 次 10奈米	譚湘瑜
中國文化大學	2012-06	針對金屬閘極TiN 堆疊不同厚度之電性探討	簡瑋志; 譚湘瑜
中國文化大學	2009	控制深層氧陷阱之產生在Hf-based/Si閘極結構層之研究	譚湘瑜
中國文化大學	2008-06-01	以矽化鎳作為閘極金屬層用在奈米級CMOS元件之特性探討	陳人豪;陳昱全;陳書群;劉立康;鄭百勝;林佩洵;譚湘瑜
中國文化大學	2008-06-01	閘極氧化層以鉿化合物取代二氧化矽之CMOS元件特性探討	陳蕙質;陳思羽;劉允中;邱琦清;朱明毅;譚湘瑜
中國文化大學	2008	針對介面原子晶格結構與能帶和諧度在 Ni-Fusi/HF-based/Si 閘極結構層之研究	譚湘瑜
中國文化大學	2007	利用I-V-T 和X光繞射技術用在堆積層 Ni-Fusi/HfO2 與 Ni-Fusi/SiO2 中針對介面特性之研究	譚湘瑜
中國文化大學	2006-06-01	對CMOS閘極氧化層線寬為130nm、90nm、65nm時的模擬與分析	陳宜澤; 馮舉威; 邱顯嘉; 胡峻諺; 謝宗原; 譚湘瑜
中國文化大學	2005-06-01	Challenges and Performance Limitations of High-k and Oxynitride Dielectrics Materials for Low Power CMOS Applications	譚湘瑜; 劉宗慶
中國文化大學	2005	完全矽化鎳做為閘極矽化金屬材料專用於CMOS 65奈米元件之研究	譚湘瑜

顯示項目 1-11 / 11 (共1頁)
1
每頁顯示[10|25|50]項目