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机构	日期	题名	作者
國立成功大學	2023	氧化鎵半導體材料磊晶暨元件製程研究與開發-次世代氧化鎵系列材料之三維異質結構高功率光電元件及電阻式記憶體的開發與研究(子計畫二)	賴韋志
國立成功大學	2022	氧化鎵半導體材料磊晶暨元件製程研究與開發-次世代氧化鎵系列材料之三維異質結構高功率光電元件及電阻式記憶體的開發與研究(子計畫二)	賴韋志
國立成功大學	2021	次世代氧化鎵新穎材料磊晶及元件製程之研究-次世代氧化鎵系列材料之高功率光電元件及奈米鰭式通道電晶體的開發與研究(子計畫二)	賴韋志
國立成功大學	2020-02-01	高等半導體物理及元件	賴韋志
國立成功大學	2020-02-01	電子學（二）	賴韋志
國立成功大學	2020	三族氮化物微米級及奈米級三維光電元件磊晶及製程之研究-子計畫三：以三維磊晶成長之奈米級高功率橫向與垂直傳輸之三族氮化物高速異質接面電晶體之研製	賴韋志
國立成功大學	2020	三族氮化物微米級及奈米級三維光電元件磊晶及製程之研究-總計畫暨子計畫一：三族氮化物奈米柱光電元件之製程開發及特性研究	張守進;賴韋志;李明倫;郭政煌
國立成功大學	2019-08-01	電子學實驗（二）	賴韋志
國立成功大學	2019-08-01	電子學（一）	賴韋志
國立成功大學	2019-05-31	氧化鎳電極界面層與甲胺氣體處理於大幅提升鈣鈦礦發光二極體元件的亮度與效率值	池易楷;王建智;楊瑞庭;劉奇京;張允崇;傅耀賢;賴韋志;陳昭宇;溫添進;黃裕清;曹正熙;郭宗枋
國立成功大學	2019	三族氮化物微米級及奈米級三維光電元件磊晶及製程之研究-子計畫三：以三維磊晶成長之奈米級高功率橫向與垂直傳輸之三族氮化物高速異質接面電晶體之研製	賴韋志
國立成功大學	2019	三族氮化物微米級及奈米級三維光電元件磊晶及製程之研究-總計畫暨子計畫一：三族氮化物奈米柱光電元件之製程開發及特性研究	張守進;賴韋志;郭政煌;李明倫
國立成功大學	2018	子計畫三：以三維磊晶成長之奈米級高功率橫向與垂直傳輸之三族氮化物高速異質接面電晶體之研製	賴韋志
國立成功大學	2018	總計畫暨子計畫一：三族氮化物奈米柱光電元件之製程開發及特性研究	張守進;郭政煌;李明倫;賴韋志
國立成功大學	2016	新穎氧化物基板成長氮化物之光電元件研究-子計畫五：以圖形化氧化鎵基板成長氮化鎵紫外光發光二極體之研製	賴韋志
國立成功大學	2016	新穎氧化物基板成長氮化物之光電元件研究-總計畫暨子計畫一：以新穎氧化物基板製備氮化鎵高電子移動率場效電晶體	張守進;賴韋志;李明倫
國立成功大學	2015	新穎氧化物基板成長氮化物之光電元件研究-子計畫五：以圖形化氧化鎵基板成長氮化鎵紫外光發光二極體之研製	賴韋志
國立成功大學	2015	新穎氧化物基板成長氮化物之光電元件研究-總計畫暨子計畫一：以新穎氧化物基板製備氮化鎵高電子移動率場效電晶體	張守進; 李明倫; 賴韋志
國立成功大學	2014-08-15	製作於電化學蝕刻n¯-氮化鎵模板上之氮化鎵發光二極體	賴韋志;顏政雄;李臻淄;楊亞諭;陳錫恩; 張守進;李書光
國立成功大學	2014	高銦含量氮化物半導體之光電元件研究-子計畫二：高銦含量氮化物發光二極體之製作與特性分析之研究	賴韋志
國立成功大學	2014	高銦含量氮化物半導體之光電元件研究-總計畫暨子計畫一：高銦含量氮化物半導體太陽能電池元件之製作與特性分析	張守進; 郭政煌; 許世昌; 賴韋志; 李明倫
國立虎尾科技大學	2014	以分子動力學模擬鈷團簇原子沈積於矽基板之研究	賴韋志
國立成功大學	2013-05-10	氮化鎵光電極用於太陽能光電解水產生氫氣	劉書巖;許進恭;曾俊凱;葉昭呈;張國華;李明倫;賴韋志
國立中正大學	2013	應用於智慧型居家看護系統心電訊號擷取之超高頻自動辨識標籤晶片	賴韋志; Lai, Wei-Jhih
國立政治大學	2013	馬可夫狀態轉換下最低條件風險值集中度投資組合之建構	賴韋志

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