| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:44:37Z |
InAsSb/GaAs自聚式量子點之電性研究
|
黃文鏑; Wen-Di Huang; 陳振芳; J.F.Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:44:03Z |
InAs/GaAs自聚式量子點掺入銻與氮之特性研究
|
黃任鋒; Ren-Fong Huang; 陳振芳; Jenn-Fang Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:43:47Z |
Alq3與BAlq之電流傳輸分析與不同濃度WO3摻雜入NPB之電性影響
|
謝明達; Hsieh Ming Ta; 陳振芳; Chen Jenn Fang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:43:24Z |
建立電路模型探討InAs量子點累積過量電子對蕭基二極體電性之影響
|
潘盛祥; Pan, Sheng-Shiang; 陳振芳; Chen, Jenn-Fang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:43:19Z |
光激發載子於GaAsN/GaAs量子井 電滯曲線的影響
|
謝朝勝; Hsieh, Chao-Sheng; 陳振芳 |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:43:16Z |
利用穿隧效應以及時間解析量測估算應力鬆弛後InAs量子點之等效電容值
|
林承祿; Lin, Cheng-Lu; 陳振芳; Chen, Jenn-Fang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:43:13Z |
GaAsN/GaAs量子井結構中光激發載子暫存降引致光電流抑制效應：等效電路RC時間常數分析
|
黃志斌; Huang, Chih-Pin; 陳振芳; Chen, Jenn-Fang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:35:41Z |
缺陷能階與量子點之載子躍遷光電容產生機制
|
蔡哲倫; Tsai, Che-Lun; 陳振芳; Chen, Jenn-Fang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:35:17Z |
藉由光電容研究深層缺陷能階與砷化銦量子點之載子交互作用
|
楊政鴻; Yang, Cheng-Hong; 陳振芳; Chen, Jenn-Fang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:35:11Z |
深層能階缺陷對光激發載子於GaAsN/GaAs量子井結構中的影響
|
陳敬恩; Chen, Chin-En; 陳振芳; Chen, Jenn-Fang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:35:10Z |
深層能階對覆蓋InAlAs層之InAs量子點的光電容特性分析
|
楊家偉; Yang, Chia-Wei; 陳振芳; Chen, Jenn-Fang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:30:54Z |
掺雜不同氮含量的InAs/InGaAs量子點與不同長晶速率的InGaAsN單一量子井之電性研究
|
陳育志; Y. J. Chen; 陳振芳; Jenn-Fang Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:30:52Z |
砷化銦/砷化銦鎵Dots in Well量子點結構之電性研究
|
王建國; Chien-Kuo Wang; 陳振芳; Jenn-Fang Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:30:51Z |
氮含量與砷化銦厚度對砷化銦/砷化鎵量子點光性影響
|
陳宜屏; Yi-Ping Chen; 陳振芳; Jenn-Fang Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:30:51Z |
濕氧化砷化鎵鋁之金氧半電容器其電性傳導與介面能態分析
|
洪文凱; Wen-Kai Hung; 陳振芳; Jenn-Fang Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:28:19Z |
鋯鈦酸鉛鐵電電容器之可靠度研究
|
顏晶婷; Ching-Ting Yen; 陳振芳; Jenn-Fang Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:25:41Z |
熱退火處理之砷化銦/砷化鎵量子點光性研究
|
陳裕大; Y. D. Chen; 陳振芳; Jenn-Fang Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:25:41Z |
InAs/GaAs量子點電容-電壓和深層能階暫態頻譜之電性研究
|
石昇弘; S. H. Shih; 陳振芳; J. F. Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:25:40Z |
氮砷化鎵塊材與氮砷化鎵/砷化鎵單一量子井電性與光性的研究
|
莊銘宏; Ming-Hung Chuang; 陳振芳; Jenn-Fang Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:23:25Z |
InGaAs/GaAs量子點與GaAsN/GaAs量子井的電性與光性研究
|
王錦雄; Jiin-Shung Wang; 陳振芳; Jenn-Fang Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:23:23Z |
熱退火處理之氮離子佈植砷化鎵的缺陷特性
|
黃振隆; Jenn-Lung Huang; 陳振芳; Jenn-Fang Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:22:02Z |
氮離子佈植於砷化鎵之特性研究
|
黃郁媄; Huang, May-May; 陳振芳; Chen, Jenn-Fang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:20:56Z |
砷化銦鎵/砷化鎵量子井應力層之電性及結構分析
|
王派湧; Pai-Yong Wang; 陳振芳; Jenn-Fang Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:20:53Z |
氮離子佈值於砷化鎵之特性研究
|
黃郁媄; May-May Huang; 陳振芳; Jenn-Fang Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:20:52Z |
InGaAs/GaAs 量子井結構中晶格應變造成之缺陷能階電性分析
|
蔡秋韻; Chiu-Yun Tsai; 陳振芳; Jenn-Fang Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:19:48Z |
分子束磊晶低溫成長砷化鎵電性量測分析
|
陳乃權; 陳振芳 |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:19:28Z |
晶格應變對單子量子井結構中載子分佈的影響
|
陳淵士; 陳振芳; Chen, Jann-Fang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:17:37Z |
GaAs/AlAs/GaAs量子結構的導納頻譜分析
|
徐念慶; Hsu, Nian-Ching; 陳振芳; Jenn-Fang Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:17:37Z |
MBE成長低溫InGaAs/GaAs超晶格p-i-n結構之電性與缺陷量測分析
|
翁宏鎮; Wong, Honng-Zheng; 陳振芳; Jenn-Fang Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:15:27Z |
氮化鎵二極體電性與缺陷分析
|
黃文彥; Huang, Wen-Yen; 陳振芳; J.F.Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:15:26Z |
MBE成長低溫砷化鎵之電性與缺陷分析
|
蔡明樺; Tsai, Min-Hua; 陳振芳; Chen Jenn-Fang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:15:26Z |
SnTe摻雜GaSb與低溫成長InGaAs/GaAs超晶格之電性研究與缺陷分析
|
劉鴻興; Liu, Hung-Sing; 陳振芳; Jenn-Fang Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:14:28Z |
熱電子之量子益得與GASB/ALSB/INAS電晶體之研究
|
許志強; Xu, Zhi-Qiang; 陳振芳; Chen, Zhen-Fang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:13:37Z |
熱電子之量子益得與GaSb/AlSb/InAs電晶體之研究
|
許志強; Jyh-Chyang Sheu; 陳振芳; Dr. Jenn-Fang Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:13:37Z |
MBE低溫成長砷化鎵之電流傳輸機制研究與陽極氧化成長氧化膜之方法
|
丘世仰; Chiu, Hsih Yang; 陳振芳; Dr. Jenn-Fang Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:12:02Z |
以MOCVD成長GaSb,AlGaSb與量測GaSb/AlGaSb/GaSb之電流傳輸
|
王派湧; Pai-Yong Wang; 陳振芳; Jenn-Fong Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:11:09Z |
摻雜SnTe之GaSb/GaAs薄膜電､光特性之研究
|
趙舜昊; ZHAO, SHUN-HAO; 陳振芳; CHEN, ZHEN-FANG |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:11:09Z |
第二型斷帶能隙異質接合結構中基於緊束縛漢彌爾頓之帶間電子傳遞
|
蘇子昂; SU, ZI-YANG; 陳振芳; CHEN, ZHEN-FANG |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:03:10Z |
砷化銦/砷化銦鎵量子點中砷化銦厚度對缺陷的電子放射與捕捉影響之研究
|
林士傑; Shih-Chieh Lin; 陳振芳; Jenn-Fang Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:03:04Z |
砷化銦量子點上覆蓋不同材料之電性研究
|
劉立偉; Li-Wei Liu; 陳振芳; Jenn-Fang Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:02:51Z |
自聚式InAs量子點上覆蓋In0.14AlAs / In0.14GaAs複合層之研究
|
謝明芳; Ming-Fang Hsieh; 陳振芳; Jenn-Fang Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:02:07Z |
PN接面太陽電池參數的計測方法
|
陳振芳; Chen, Zhen-Fang; 吳慶源; Wu, Qing-Yuan |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:57:30Z |
T25高壓製程之高頻特性研究測試元件
|
任欣桐; Jen, Hsin-Tung; 陳振芳; 荊鳳德; Chen, J. F.; Chin, Albert |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:57:30Z |
InAs/InGaAs量子點光電容特性
|
曾國豪; Tseng, Kuo-Hau; 陳振芳; Chen, Jenn-Fang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:57:30Z |
GaAsN/GaAs量子井結構中光激發載子的光電容與光電流分析
|
趙俊泓; 陳振芳 |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:57:25Z |
EL2 缺陷對於InAs/GaAs 量子點的電子放射特性分析:照光的影響
|
紀亞青; Chi, Ya-Ching; 陳振芳; Chen, Jenn-Fang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:49:31Z |
探討高含量的氮摻入InAs 自聚式量子點中含氮成份不均勻之特性影響
|
孫茂益; Sun, Mao-Yi; 陳振芳 |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:49:25Z |
含氮局部侷限能階之GaAsN/GaAs量子井的電子放射特性:照光的影響
|
陳彥寧; Chen, Yen-Ning; 陳振芳; Chen, Jenn-Fang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:49:17Z |
應力誘發之雙模態InAs/InGaAs量子點特性
|
林妍君; Lin, Yen-Chun; 陳振芳; Chen, Jenn-Fang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:45:23Z |
CMOS 奈米元件閃爍雜訊與RTS之特性分析
|
鮑柏雯; Pao, Puo-Wen; 陳振芳; Chen, Jenn-Fang |
