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教育部委託研究計畫 計畫執行:國立臺灣大學圖書館
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| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:43:16Z |
利用穿隧效應以及時間解析量測估算應力鬆弛後InAs量子點之等效電容值
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林承祿; Lin, Cheng-Lu; 陳振芳; Chen, Jenn-Fang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:43:13Z |
GaAsN/GaAs量子井結構中光激發載子暫存降引致光電流抑制效應：等效電路RC時間常數分析
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黃志斌; Huang, Chih-Pin; 陳振芳; Chen, Jenn-Fang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:35:41Z |
缺陷能階與量子點之載子躍遷光電容產生機制
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蔡哲倫; Tsai, Che-Lun; 陳振芳; Chen, Jenn-Fang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:35:17Z |
藉由光電容研究深層缺陷能階與砷化銦量子點之載子交互作用
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楊政鴻; Yang, Cheng-Hong; 陳振芳; Chen, Jenn-Fang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:35:11Z |
深層能階缺陷對光激發載子於GaAsN/GaAs量子井結構中的影響
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陳敬恩; Chen, Chin-En; 陳振芳; Chen, Jenn-Fang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:35:10Z |
深層能階對覆蓋InAlAs層之InAs量子點的光電容特性分析
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楊家偉; Yang, Chia-Wei; 陳振芳; Chen, Jenn-Fang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:30:54Z |
掺雜不同氮含量的InAs/InGaAs量子點與不同長晶速率的InGaAsN單一量子井之電性研究
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陳育志; Y. J. Chen; 陳振芳; Jenn-Fang Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:30:52Z |
砷化銦/砷化銦鎵Dots in Well量子點結構之電性研究
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王建國; Chien-Kuo Wang; 陳振芳; Jenn-Fang Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:30:51Z |
氮含量與砷化銦厚度對砷化銦/砷化鎵量子點光性影響
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陳宜屏; Yi-Ping Chen; 陳振芳; Jenn-Fang Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:30:51Z |
濕氧化砷化鎵鋁之金氧半電容器其電性傳導與介面能態分析
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洪文凱; Wen-Kai Hung; 陳振芳; Jenn-Fang Chen |
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