| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:19:48Z |
分子束磊晶低溫成長砷化鎵電性量測分析
|
陳乃權; 陳振芳 |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:19:28Z |
晶格應變對單子量子井結構中載子分佈的影響
|
陳淵士; 陳振芳; Chen, Jann-Fang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:17:37Z |
GaAs/AlAs/GaAs量子結構的導納頻譜分析
|
徐念慶; Hsu, Nian-Ching; 陳振芳; Jenn-Fang Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:17:37Z |
MBE成長低溫InGaAs/GaAs超晶格p-i-n結構之電性與缺陷量測分析
|
翁宏鎮; Wong, Honng-Zheng; 陳振芳; Jenn-Fang Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:15:27Z |
氮化鎵二極體電性與缺陷分析
|
黃文彥; Huang, Wen-Yen; 陳振芳; J.F.Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:15:26Z |
MBE成長低溫砷化鎵之電性與缺陷分析
|
蔡明樺; Tsai, Min-Hua; 陳振芳; Chen Jenn-Fang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:15:26Z |
SnTe摻雜GaSb與低溫成長InGaAs/GaAs超晶格之電性研究與缺陷分析
|
劉鴻興; Liu, Hung-Sing; 陳振芳; Jenn-Fang Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:14:28Z |
熱電子之量子益得與GASB/ALSB/INAS電晶體之研究
|
許志強; Xu, Zhi-Qiang; 陳振芳; Chen, Zhen-Fang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:13:37Z |
熱電子之量子益得與GaSb/AlSb/InAs電晶體之研究
|
許志強; Jyh-Chyang Sheu; 陳振芳; Dr. Jenn-Fang Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:13:37Z |
MBE低溫成長砷化鎵之電流傳輸機制研究與陽極氧化成長氧化膜之方法
|
丘世仰; Chiu, Hsih Yang; 陳振芳; Dr. Jenn-Fang Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:12:02Z |
以MOCVD成長GaSb,AlGaSb與量測GaSb/AlGaSb/GaSb之電流傳輸
|
王派湧; Pai-Yong Wang; 陳振芳; Jenn-Fong Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:11:09Z |
摻雜SnTe之GaSb/GaAs薄膜電､光特性之研究
|
趙舜昊; ZHAO, SHUN-HAO; 陳振芳; CHEN, ZHEN-FANG |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:11:09Z |
第二型斷帶能隙異質接合結構中基於緊束縛漢彌爾頓之帶間電子傳遞
|
蘇子昂; SU, ZI-YANG; 陳振芳; CHEN, ZHEN-FANG |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:03:10Z |
砷化銦/砷化銦鎵量子點中砷化銦厚度對缺陷的電子放射與捕捉影響之研究
|
林士傑; Shih-Chieh Lin; 陳振芳; Jenn-Fang Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:03:04Z |
砷化銦量子點上覆蓋不同材料之電性研究
|
劉立偉; Li-Wei Liu; 陳振芳; Jenn-Fang Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:02:51Z |
自聚式InAs量子點上覆蓋In0.14AlAs / In0.14GaAs複合層之研究
|
謝明芳; Ming-Fang Hsieh; 陳振芳; Jenn-Fang Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:02:07Z |
PN接面太陽電池參數的計測方法
|
陳振芳; Chen, Zhen-Fang; 吳慶源; Wu, Qing-Yuan |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:57:30Z |
T25高壓製程之高頻特性研究測試元件
|
任欣桐; Jen, Hsin-Tung; 陳振芳; 荊鳳德; Chen, J. F.; Chin, Albert |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:57:30Z |
InAs/InGaAs量子點光電容特性
|
曾國豪; Tseng, Kuo-Hau; 陳振芳; Chen, Jenn-Fang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:57:30Z |
GaAsN/GaAs量子井結構中光激發載子的光電容與光電流分析
|
趙俊泓; 陳振芳 |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:57:25Z |
EL2 缺陷對於InAs/GaAs 量子點的電子放射特性分析:照光的影響
|
紀亞青; Chi, Ya-Ching; 陳振芳; Chen, Jenn-Fang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:49:31Z |
探討高含量的氮摻入InAs 自聚式量子點中含氮成份不均勻之特性影響
|
孫茂益; Sun, Mao-Yi; 陳振芳 |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:49:25Z |
含氮局部侷限能階之GaAsN/GaAs量子井的電子放射特性:照光的影響
|
陳彥寧; Chen, Yen-Ning; 陳振芳; Chen, Jenn-Fang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:49:17Z |
應力誘發之雙模態InAs/InGaAs量子點特性
|
林妍君; Lin, Yen-Chun; 陳振芳; Chen, Jenn-Fang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:45:23Z |
CMOS 奈米元件閃爍雜訊與RTS之特性分析
|
鮑柏雯; Pao, Puo-Wen; 陳振芳; Chen, Jenn-Fang |
