| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:30:13Z |
雙模態砷化銦量子點間載子傳輸機制與應力鬆弛發生雙模態之探討
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陳振芳; CHEN JENN-FANG |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:30:07Z |
砷化銦自聚式量子點內應力鬆弛效應與材料交互混合產生的電性缺陷的影響(I)
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陳振芳; CHEN JENN-FANG |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:29:26Z |
砷化銦自聚式量子點內應力鬆弛效應與材料交互混合產生的電性缺陷的影響(II)
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陳振芳; CHEN JENN-FANG |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:29:05Z |
深層能階的載子補捉對於光學引發砷化銦量子點內電荷儲存之影響
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陳振芳; CHEN JENN-FANG |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:28:49Z |
砷化銦自聚式量子點內應力鬆弛效應與材料交互混合產生的電性缺陷的影響(III)
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陳振芳; CHEN JENN-FANG |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T03:10:55Z |
分子束磊晶法於砷化鎵基板製作1.3微米半導體雷射
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蕭茹雄; Ru-Shang Hsiao; 陳振芳; Jenn-Fang Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T03:10:41Z |
高效率有機電激發光元件之研究
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張展晴; Chan-Ching Chang; 陳振芳; 陳金鑫; J. F. Chen; Chin-H. Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T03:06:37Z |
InAs量子點應力鬆弛所引發缺陷對量子躍遷之影響
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汪炎宗; Yan -Zung Wang; 陳振芳; Jenn-Fang Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T03:06:37Z |
有機摻雜半導體與非晶矽半導體之導納分析模型建立與電性研究
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謝明達; Hsieh, Ming-Ta; 陳振芳; Chen, Jenn-Fan |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T03:06:30Z |
MOCVD成長GaAsN/GaAs量子井的深層缺陷能階與能帶研究
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柯忠廷; Chung-Ting Ke; 陳振芳; Jenn-Fang Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T03:06:22Z |
熱退火於InAsSb/GaAs量子點光性及應力鬆弛引致缺陷之載子傳輸特性研究
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吳春慧; Chun-Hui Wu; 陳振芳; Jenn-Fang Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:56:17Z |
分子束磊晶成長InAs/InGaAs量子點之銻表面活化效應
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江振豪; Chen-Hao Chiang; 陳振芳; Jenn-Fang Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:56:08Z |
InGaAsN/GaAs量子井之成份波動效應
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謝佩珍; Pei-Chen Hsieh; 陳振芳; Jenn-Fang Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:56:07Z |
熱退火對掺入氮砷化銦量子點電子放射率之影響
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余之周; Chih Chou Yu; 陳振芳; Jenn-Fang Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:45:10Z |
有機半導體材料電子結構分析與倒置式下發光有機電激發光元件之研究
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朱達雅; Ta-Ya Chu; 陳金鑫; 陳振芳; Chin Hsin Chen; Jenn-Fang Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:44:37Z |
InAsSb/GaAs自聚式量子點之電性研究
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黃文鏑; Wen-Di Huang; 陳振芳; J.F.Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:44:03Z |
InAs/GaAs自聚式量子點掺入銻與氮之特性研究
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黃任鋒; Ren-Fong Huang; 陳振芳; Jenn-Fang Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:43:47Z |
Alq3與BAlq之電流傳輸分析與不同濃度WO3摻雜入NPB之電性影響
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謝明達; Hsieh Ming Ta; 陳振芳; Chen Jenn Fang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:43:24Z |
建立電路模型探討InAs量子點累積過量電子對蕭基二極體電性之影響
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潘盛祥; Pan, Sheng-Shiang; 陳振芳; Chen, Jenn-Fang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:43:19Z |
光激發載子於GaAsN/GaAs量子井 電滯曲線的影響
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謝朝勝; Hsieh, Chao-Sheng; 陳振芳 |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:43:16Z |
利用穿隧效應以及時間解析量測估算應力鬆弛後InAs量子點之等效電容值
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林承祿; Lin, Cheng-Lu; 陳振芳; Chen, Jenn-Fang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:43:13Z |
GaAsN/GaAs量子井結構中光激發載子暫存降引致光電流抑制效應：等效電路RC時間常數分析
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黃志斌; Huang, Chih-Pin; 陳振芳; Chen, Jenn-Fang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:35:41Z |
缺陷能階與量子點之載子躍遷光電容產生機制
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蔡哲倫; Tsai, Che-Lun; 陳振芳; Chen, Jenn-Fang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:35:17Z |
藉由光電容研究深層缺陷能階與砷化銦量子點之載子交互作用
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楊政鴻; Yang, Cheng-Hong; 陳振芳; Chen, Jenn-Fang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:35:11Z |
深層能階缺陷對光激發載子於GaAsN/GaAs量子井結構中的影響
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陳敬恩; Chen, Chin-En; 陳振芳; Chen, Jenn-Fang |
