| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:29:51Z |
奈米CMOS通道背向散射實驗及其潛在性應用之研究(II)
|
陳明哲; CHEN MING-JER |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:29:40Z |
深次微米MOSFET穿隧漏電流、鎖定及靜電放電之研究(II)
|
陳明哲; CHEN MING-JER |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:29:37Z |
閘穿隧電流, 遷移率, 及隨機電報雜訊作為金屬閘高介質應變鰭狀及平面場效電晶體物理機制之測試載具研究
|
陳明哲; CHEN MING-JER |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:28:53Z |
非揮發性記憶體奈米尺寸陷阱物理暨相關可靠性物理之嶄新研究
|
陳明哲; CHEN MING-JER |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:28:47Z |
奈米CMOS通道背向散射實驗及其潛在性應用之研究(III)
|
陳明哲; CHEN MING-JER |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T03:03:11Z |
奈米尺寸金氧半場效電晶體通道背向散射:蒙地卡羅模擬與物理模型
|
呂立方; Li-Fang Lu; 陳明哲; Ming-Jer Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T03:00:27Z |
企業實力矩陣研究-以台灣無線網路設備製造業為例
|
陳明哲; Ming Jer Chen; 張家齊; Chia Chi Chang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:52:18Z |
背閘偏壓對於次臨界區電路不匹配效應之控制與其物理模型
|
曾貴鴻; Kuei-Hung Tseng; 陳明哲; Ming-Jer Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:52:18Z |
應變金氧半場效電晶體機械應力萃取與其相關物理模型建立之研究
|
謝振宇; Hsieh, Chen-Yu; 陳明哲; Chen, Ming-Jer |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:51:46Z |
背向散射理論應用於金氧半場效電晶體在飽和區不匹配效應之物理模型
|
蔡鐘賢; Chung-Hsien Tsai; 陳明哲; Ming-Jer Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:51:37Z |
超薄雙閘極金氧半場效電晶體與矽奈米線電晶體涵蓋通道背向散射效應之物理解析模型
|
顏士貴; Shih-Guei Yan; 陳明哲; Ming-Jer Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:47:13Z |
先進金氧半場效電晶體對於佈局之依賴效應
|
許義明; Yi-Ming Sheu; 陳明哲; Ming-Jer Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:46:09Z |
利用自動車作基於視覺之室內安全巡邏
|
陳明哲; Ming-Che Chen; 蔡文祥; Wen-Hsiang Tsai |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:45:18Z |
長距庫倫作用於塊材矽之探討
|
陳泉利; Chen, Chuan-Li; 陳明哲; Chen, Ming-Jer |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:45:18Z |
電漿子強化矽場效電晶體之遠距庫倫效應
|
廖禹喬; Liao, Yu-Chiao; 陳明哲; Chen, Ming-Jer |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:45:18Z |
次臨界區奈米級金氧半場效電晶體之隨機擾動訊號振幅統計分佈引致臨界電壓偏移之建模化
|
王煥翔; Wang, Huan-Hsiang; 陳明哲; Chen, Ming-Jer |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:38:39Z |
探討奈米級場效電晶體之遠距庫倫效應
|
魏思勻; Wei, Sih-Yun; 陳明哲; Chen, Ming-Jer |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:38:39Z |
次臨界區奈米級金氧半場效電晶體之隨機擾動訊號切換強度之建模化
|
賴修翊; Lai, Shiou-Yi; 陳明哲; Chen, Ming-Jer |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:38:39Z |
速度過衝減弱化之超短通道雙閘極金氧半場效電晶體
|
王啟安; Wang, Chi-An; 陳明哲; Chen, Ming-Jer |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:30:45Z |
晶圓之場效電晶體機械應力之監測
|
陳健生; Jien Sheng Chen; 陳明哲; Ming jer chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:30:44Z |
順偏強化寫入機制於快閃式記憶體之探討
|
陳柏求; Bo-chu chen; 陳明哲; Ming-Jer chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:30:42Z |
奈米場效電晶體之通道逆向散射實驗
|
陳柏年; Po -Nien,Chen; 陳明哲; Ming-Jer Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:30:38Z |
超大型級晶片可靠度分析及主動元件安裝於金氧半電晶體之輸出入墊片下之研究與製程技術智財自動化之設計
|
周國裕; Kuo-Yu Chou; 陳明哲; Ming-Jer Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:28:06Z |
奈米尺寸金氧半場效電晶體通道逆向散射實驗與理論
|
黃國荃; Kuo-Chuan Huang; 陳明哲; Ming-Jer Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:28:06Z |
超薄閘極氧化層之球體模型及崩潰物理
|
張祐慈; Yutzu Chang; 陳明哲; Prof. Ming–Jer Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:28:06Z |
金氧半電晶體的邊緣直接穿透電流之隨機擾動
|
呂明霈; Ming-Pei Lu; 陳明哲; Ming- Jer Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:28:05Z |
新式快閃式記憶體電容耦合參數之萃取方法
|
林佳漢; Jia - Han Lin; 陳明哲; Ming- Jer Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:25:34Z |
快閃記憶體的特性、分析以及參數萃取
|
謝文獻; Wen-Shain Hsieh; 陳明哲; Ming-Jer Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:25:34Z |
超薄閘氧化層電晶體中量子效益及軟崩潰之嶄新實驗觀察
|
葉士新; Shih-Hsin Yeh; 陳明哲; Ming-Jer Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:25:34Z |
磊晶互補式金氧半鎖定物理模型及晶片靜電放電保護
|
李煥松; Hun-Shung Lee; 陳明哲; Ming-Jer Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:25:33Z |
超薄閘極氧化層退化機制之完整研究
|
康定國; Kang, Ting-Kuo; 陳明哲; Chen, Ming-Jer |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:23:49Z |
奈米金氧半場效電晶體之通道熱能區背向散射實驗
|
陳榮挺; Rong-Ting Chen; 陳明哲; Ming-Jer Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:23:26Z |
超細薄膜奈米雙閘場效電晶體含括返向通量比之物理解析式模型
|
林盈秀; Ying-Shiou Lin; 陳明哲; Ming-Jer Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:23:20Z |
深次微米互補式金氧半可靠性重要議題:因時變化的介電崩壞與穿透漏電流
|
黃煥宗; Huan-Tsung Huang; 陳明哲; Prof. Ming-Jer Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:23:15Z |
磊晶層厚度對MOS靜電放電可靠性之衝擊
|
陳順棠; Shuenn-Tarng Chen; 陳明哲; Ming-Jer Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:23:13Z |
超薄氧化層厚度的萃取
|
張名君; Ming-Chun Chan; 陳明哲; Dr. Ming-Jer Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:23:13Z |
對深次微米金氧半電晶體在軟崩潰之後的1/f 雜訊之研究
|
李元華; Huan-Hwa Lee; 陳明哲; Ming-Jer Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:23:12Z |
金氧半場效電晶體臨界電壓之不匹配模型和對電路良率的衝擊
|
唐千峰; Chien-Fong Tang; 陳明哲; Ming-Jer Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:20:51Z |
超薄氧化層C-V特性之透納成分
|
陳育書; Chen Yuhshu; 陳明哲; Chen Ming-Jer |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:20:51Z |
深次微米MOSFET通道引致二次電子閘極電流之研究
|
王啟勳; Chi-Shiun Wang; 陳明哲; Ming-Jer Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:18:18Z |
深次微米CMOS時間介電崩潰及鎖定之研究
|
陳志輝; Chen, Zhi-Hui; 陳明哲; Chen, Ming-Zhe |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:17:33Z |
背閘極偏壓對深微米MOSFET熱電子引致閘極電流注入之影響
|
胡楚威; Hu, Chu-Wei; 陳明哲; Ming-Jer Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:17:33Z |
基座交連特性量測及低於1伏電壓參考源之實現
|
黃建穎; Huang, Jen-Yin; 陳明哲; Ming-Jer Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:17:33Z |
深次微米CMOS時間介電崩潰及鎖定之研究
|
陳志輝; Chen, Jyh-Huei; 陳明哲; Ming-Jer Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:17:30Z |
次臨界互補式金氧半類比積體電路之匹配誤差分析
|
鄭仲皓; Cheng, Chao-Hao; 陳明哲; Ming-Jer Chen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:16:38Z |
背閘偏壓控制對低電壓、低功耗互補式金氧半類比數位積體電路之衝擊
|
何繼勛; 陳明哲 |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:16:27Z |
深次微米互補式金氧半中靜電放電與阿爾法粒效應之研究
|
范宏政; Fan, Hong-Zheng; 陳明哲; Chen, Ming-Zhe |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:15:41Z |
金氧半類比開關中電荷注入效應的特性量測分析及補償電路設計
|
顧彥斌; Gu ,Yen-Bin; 陳明哲; Ming-Jer Jen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:15:33Z |
次臨界互補式金氧半匹配誤差分析
|
林俊煌; Lin, Jiung-Huang; 陳明哲; Chen Ming-Jer |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:15:33Z |
閘控雙載子電晶體之新穎應用:動態臨界電壓互補式金氧半電路及簡潔的靜態隨機存取記憶體單元
|
謝豪泰; Shie, Hau-Tai; 陳明哲; Chen Ming-Jer |
