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机构	日期	题名	作者
國立交通大學	2016-12-20T03:56:42Z	在有著複雜幾何與材料內容的半導體物體中激子g-factor張量	霍斯科
國立交通大學	2016-03-28T08:17:21Z	複雜幾何形狀及材料的半導體奈米物體系綜中載子自旋與光之耦合	霍斯科; Voskoboynikov Oleksa
國立交通大學	2015-11-26T00:56:15Z	用單和八能帶模型模擬三五族半導體量子點和分子的等效g因子	楊力衞; Yang, Li-Wei; 霍斯科; Voskoboynikov,Oleksandr
國立交通大學	2014-12-13T10:52:03Z	奈米結構合成材料的磁光效應(III)	霍斯科; Voskoboynikov Oleksa
國立交通大學	2014-12-13T10:50:18Z	半導體奈米元件的軌道與電子自旋磁性	霍斯科; Voskoboynikov Oleksa
國立交通大學	2014-12-13T10:49:45Z	半導體奈米體中的自旋軌道偶和及等效Lande因子	霍斯科; Voskoboynikov Oleksa
國立交通大學	2014-12-13T10:47:53Z	半導體奈米元件的軌道與電子自旋磁性	霍斯科; Voskoboynikov Oleksa
國立交通大學	2014-12-13T10:45:34Z	半導體奈米元件的軌道與電子自旋磁性	霍斯科; Voskoboynikov Oleksa
國立交通大學	2014-12-13T10:42:34Z	半導體奈米結構分散性群體的磁性與磁光特性	霍斯科; Voskoboynikov Oleksa
國立交通大學	2014-12-13T10:41:20Z	在半導體奈米混和體中量子與電子力學的偶合現象	霍斯科; Voskoboynikov Oleksa
國立交通大學	2014-12-13T10:38:20Z	半導體奈米體中的自旋軌道偶和及等效Lande因子	霍斯科; Voskoboynikov Oleksa
國立交通大學	2014-12-13T10:34:29Z	半導體異質結構一致和非一致自旋相依傳輸(I)	霍斯科; Voskoboynikov Oleksa
國立交通大學	2014-12-13T10:33:16Z	半導體異質結構一致和非一致自旋相依傳輸(II)	霍斯科; Voskoboynikov Oleksa
國立交通大學	2014-12-13T10:32:20Z	半導體異質結構一致和非一致自旋相依傳輸(III)	霍斯科; Voskoboynikov Oleksa
國立交通大學	2014-12-13T10:30:51Z	奈米結構合成材料的磁光效應(I)	霍斯科; Voskoboynikov Oleksa
國立交通大學	2014-12-13T10:29:28Z	奈米結構合成材料的磁光效應(II)	霍斯科; Voskoboynikov Oleksa
國立交通大學	2014-12-12T03:03:10Z	二維半導體雙位能障結構下實現自旋電子分離	張世鵬; 霍斯科; O.Voskoboynikov
國立交通大學	2014-12-12T03:02:26Z	外加磁場下多電子量子點之能量和束縛電子數目的關係	呂學翰; Hsiao-Han-Lu; 霍斯科; O.Voskoboynikov
國立交通大學	2014-12-12T02:51:25Z	幾何相位和電子自旋軌道交互作用	游清揚; 霍斯科
國立交通大學	2014-12-12T02:30:39Z	半導體異質結構中電子自旋相依傳輸	黃華強; Hua-Chiang Huang; 霍斯科; 李建平; Oleksendr Voskoboynikov; Chien-Ping Lee
國立交通大學	2014-12-12T02:24:04Z	半導體非對稱雙量子井結構中之自旋相依能階分裂	陳啟暉; Chi-Huei Chen; 霍斯科; Oleksandr Voskoboynikov
國立交通大學	2014-12-12T01:37:09Z	結構不完美在自組性砷化銦奈米環的反磁性能量位移之影響：以理論計算方法	邱偉庭; Chiu, Wei-ting; 霍斯科; Voskoboynikov, Oleksandr
國立交通大學	2014-12-12T01:24:38Z	半導體奈米物質的人工複合材料的集體磁光特性	林明同; Le Minh Thu; 霍斯科; Oleksandr Voskoboynikov

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