| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:43:25Z |
利用三閘極結構改善高功率鋁氮化鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體元件特性研究
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劉承佳; 張翼; 馬哲申; Liu, Cheng-Chia |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:43:22Z |
網印、噴印及膠印應用於台灣工業級矽太陽電池生產之評估
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陳順和; 馬哲申; 陳慶盈; chen, shun-ho; Maa, Jer-Shen; Chen, Chin-Yin |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:43:05Z |
全銅金屬化三五族太陽能電池之研究
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許青翔; 張翼; 馬哲申; Hsu, Ching-Hsiang; Chang, Edward, Yi; Maa, Jer-shen |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:42:48Z |
矽晶太陽能組件之蝸牛紋現象之探討
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陳茂文; 馬哲申; Chen,Mao-Wen; Maa,Jer-Shen |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:42:32Z |
使用介電質電漿處理法製作高效能砷化銦鎵三維金氧半場效電晶體達未來低耗能高速邏輯元件應用
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楊坤昇; 張翼; 馬哲申; Yang, Kun-Sheng; Chang, Yi; Maa, Jer-Sen |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:40:29Z |
太陽能多晶矽晶錠良率之產能改善
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李東軒; 馬哲申; LI, TUNG HSUAN |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:40:20Z |
半導體先進製程的布林邏輯演算應用
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李志忠; 張翼; 馬哲申; Lee, Chih-Chung; Chang, Yi; Maa, Jer-Shen |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:39:39Z |
於高頻高功率應用的氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體大訊號模型建立
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謝明哲; 張翼; 馬哲申; Hsieh, Ming-Che; Chang, Edward-Yi; Maa, Jer-shen |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:39:35Z |
藉由插入低溫氮化鋁鎵插入層與高壓氮化鎵孕核層在矽(111)基板上成長厚且具低差排密度的氮化鎵薄膜
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黃坤松; 張翼; 馬哲申; Huang, Kun-Sung; Chang, Edward Yi; Maa, Jer-shen |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:39:06Z |
利用低損傷中性粒子束蝕刻的方式製作出高起始電壓低磁滯的掘入式閘極增強型氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率高功率電晶體
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李瑞博; 張翼; 馬哲申; Lee, Ruey-Bor; Chang, Edward-Yi; Maa, Jer-Shen |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:39:06Z |
利用中性粒子束蝕刻製作掘入式閘極增強型氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體於高頻高功率上的應用
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黃嘉慶; 張翼; 馬哲申; Huang, Chia-Ching; Chang, Edward Yi; Maa, Jer-Shen |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:38:30Z |
使用閘極介電質成長後電漿處理法改善三五族砷化銦鎵鰭式場效電晶體元件特性之研究
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張家齊; 張翼; 馬哲申; Chang, Chia-Chi; Chang, Yi; Maa, Jer-sen |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:37:33Z |
應用於氮化鎵高頻功率元件之碳化矽基板背向通孔製程
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邱奕儒; 張翼; 馬哲申; Chiu, Yi-Ju; Chang, Edward-Yi; Maa, Jer-Shen |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:02:51Z |
增強型氮化鋁鎵/氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體之臨界電壓模擬研究
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翁可力; Weng, Ke-Li; 張翼; 馬哲申; Chang, Edward Yi; Maa, Jer-Shen |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:02:43Z |
以氧化鑭/二氧化矽堆疊式氧化層作為高功率氮化鎵高電子遷移率電晶體之閘極氧化層之研究
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林岱葦; Lin, Tai-Wei; 張翼; 馬哲申; Chang, Edward-Yi; Maa, Jer-shen |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:02:42Z |
使用氮化鋁及閘極介電質成長後電漿處理法改善三五族砷化銦量子井場效電晶體元件特性之研究
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林冠宇; Lin, Guan-Yu; 馬哲申; 張翼; Maa, Jer-sen; Chang, Edward-Yi |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:02:40Z |
以混合式氧化鑭閘極氧化層改善氮化鎵 高電子遷移率電晶體線性度之研究
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施旺成; Shih, Wang-Cheng; 張翼,; 馬哲申; Chang, Edward-Yi; Maa, Jer-Shen |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:02:02Z |
側壁蝕刻與非合金歐姆接觸之增強型砷化銦通道高電子遷移率電晶體應用於高頻與低耗能邏輯元件之特性評估
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楊凱鈞; Yang, Kai-Chun; 張翼; 馬哲申; Chang, Yi; Maa, Jer-Shen |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T00:57:20Z |
利用有機金屬化學氣相沉積法探討使用鎵/銻介面處理對於成長銻化鎵薄膜於砷化鎵基板之影響
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劉俊寬; Liu, Chun-Kuan; 張翼; 馬哲申 |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T00:57:12Z |
利用低成本液態晶體聚合物基板結合覆晶封裝技術之射頻應用
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許逸翔; Yi-Hsiang Hsu; 張翼; 馬哲申; Chang , Edward-Yi; Maa , Jer-shen |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T00:57:08Z |
利用多層堆疊氧化鉿/氧化鑭為閘極絕緣層以提升增強型氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體起始電壓之穩定性
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黃裕翔; Huang, Yu-Xiang; 張翼; 馬哲申; Chang, Yi; Ma, Jhe-Shen |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T00:55:20Z |
應用於邏輯線路之低耗能三閘極砷化銦鎵變晶性高電子遷移率電晶體之研究
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詹京叡; Chan, Jing-Ruey; 張翼; 馬哲申; Chang, Edward-Yi; Maa, Jer-Shen |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T00:55:19Z |
利用有機金屬化學氣相沉積成長氮化鋁/氮化鎵高電子遷移率電晶體
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許恩慈; Sheu, En Cih; 張翼; 馬哲申 |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T00:55:19Z |
藉氮化鋁鈍化層與表面處理改善氮化鎵高電子遷移率電晶體 直流與高頻特性之研究
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張家豪; Chang, Chia-Hao; 張翼; 馬哲申; Chang, Yi; Maa, Jer-Shen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:45:27Z |
1奈米等效厚度之氧化鑭與氧化鉿複合氧化物材料在砷化銦鎵金氧半元件之研究
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侯姿清; Hou, Tzu-Ching; 張翼; 馬哲申; Chang, Edward-Yi; Maa, Jer-shen |
