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教育部委托研究计画 计画执行:国立台湾大学图书馆
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"馬哲申"的相关文件
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| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:40:29Z |
太陽能多晶矽晶錠良率之產能改善
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李東軒; 馬哲申; LI, TUNG HSUAN |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:40:20Z |
半導體先進製程的布林邏輯演算應用
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李志忠; 張翼; 馬哲申; Lee, Chih-Chung; Chang, Yi; Maa, Jer-Shen |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:39:39Z |
於高頻高功率應用的氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體大訊號模型建立
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謝明哲; 張翼; 馬哲申; Hsieh, Ming-Che; Chang, Edward-Yi; Maa, Jer-shen |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:39:35Z |
藉由插入低溫氮化鋁鎵插入層與高壓氮化鎵孕核層在矽(111)基板上成長厚且具低差排密度的氮化鎵薄膜
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黃坤松; 張翼; 馬哲申; Huang, Kun-Sung; Chang, Edward Yi; Maa, Jer-shen |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:39:06Z |
利用低損傷中性粒子束蝕刻的方式製作出高起始電壓低磁滯的掘入式閘極增強型氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率高功率電晶體
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李瑞博; 張翼; 馬哲申; Lee, Ruey-Bor; Chang, Edward-Yi; Maa, Jer-Shen |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:39:06Z |
利用中性粒子束蝕刻製作掘入式閘極增強型氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體於高頻高功率上的應用
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黃嘉慶; 張翼; 馬哲申; Huang, Chia-Ching; Chang, Edward Yi; Maa, Jer-Shen |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:38:30Z |
使用閘極介電質成長後電漿處理法改善三五族砷化銦鎵鰭式場效電晶體元件特性之研究
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張家齊; 張翼; 馬哲申; Chang, Chia-Chi; Chang, Yi; Maa, Jer-sen |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:37:33Z |
應用於氮化鎵高頻功率元件之碳化矽基板背向通孔製程
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邱奕儒; 張翼; 馬哲申; Chiu, Yi-Ju; Chang, Edward-Yi; Maa, Jer-Shen |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:02:51Z |
增強型氮化鋁鎵/氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體之臨界電壓模擬研究
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翁可力; Weng, Ke-Li; 張翼; 馬哲申; Chang, Edward Yi; Maa, Jer-Shen |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:02:43Z |
以氧化鑭/二氧化矽堆疊式氧化層作為高功率氮化鎵高電子遷移率電晶體之閘極氧化層之研究
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林岱葦; Lin, Tai-Wei; 張翼; 馬哲申; Chang, Edward-Yi; Maa, Jer-shen |
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