| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:39:06Z |
利用中性粒子束蝕刻製作掘入式閘極增強型氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體於高頻高功率上的應用
|
黃嘉慶; 張翼; 馬哲申; Huang, Chia-Ching; Chang, Edward Yi; Maa, Jer-Shen |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:38:30Z |
使用閘極介電質成長後電漿處理法改善三五族砷化銦鎵鰭式場效電晶體元件特性之研究
|
張家齊; 張翼; 馬哲申; Chang, Chia-Chi; Chang, Yi; Maa, Jer-sen |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:37:33Z |
應用於氮化鎵高頻功率元件之碳化矽基板背向通孔製程
|
邱奕儒; 張翼; 馬哲申; Chiu, Yi-Ju; Chang, Edward-Yi; Maa, Jer-Shen |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:02:51Z |
增強型氮化鋁鎵/氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體之臨界電壓模擬研究
|
翁可力; Weng, Ke-Li; 張翼; 馬哲申; Chang, Edward Yi; Maa, Jer-Shen |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:02:43Z |
以氧化鑭/二氧化矽堆疊式氧化層作為高功率氮化鎵高電子遷移率電晶體之閘極氧化層之研究
|
林岱葦; Lin, Tai-Wei; 張翼; 馬哲申; Chang, Edward-Yi; Maa, Jer-shen |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:02:42Z |
使用氮化鋁及閘極介電質成長後電漿處理法改善三五族砷化銦量子井場效電晶體元件特性之研究
|
林冠宇; Lin, Guan-Yu; 馬哲申; 張翼; Maa, Jer-sen; Chang, Edward-Yi |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:02:40Z |
以混合式氧化鑭閘極氧化層改善氮化鎵 高電子遷移率電晶體線性度之研究
|
施旺成; Shih, Wang-Cheng; 張翼,; 馬哲申; Chang, Edward-Yi; Maa, Jer-Shen |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:02:02Z |
側壁蝕刻與非合金歐姆接觸之增強型砷化銦通道高電子遷移率電晶體應用於高頻與低耗能邏輯元件之特性評估
|
楊凱鈞; Yang, Kai-Chun; 張翼; 馬哲申; Chang, Yi; Maa, Jer-Shen |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T00:57:20Z |
利用有機金屬化學氣相沉積法探討使用鎵/銻介面處理對於成長銻化鎵薄膜於砷化鎵基板之影響
|
劉俊寬; Liu, Chun-Kuan; 張翼; 馬哲申 |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T00:57:12Z |
利用低成本液態晶體聚合物基板結合覆晶封裝技術之射頻應用
|
許逸翔; Yi-Hsiang Hsu; 張翼; 馬哲申; Chang , Edward-Yi; Maa , Jer-shen |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T00:57:08Z |
利用多層堆疊氧化鉿/氧化鑭為閘極絕緣層以提升增強型氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體起始電壓之穩定性
|
黃裕翔; Huang, Yu-Xiang; 張翼; 馬哲申; Chang, Yi; Ma, Jhe-Shen |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T00:55:20Z |
應用於邏輯線路之低耗能三閘極砷化銦鎵變晶性高電子遷移率電晶體之研究
|
詹京叡; Chan, Jing-Ruey; 張翼; 馬哲申; Chang, Edward-Yi; Maa, Jer-Shen |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T00:55:19Z |
利用有機金屬化學氣相沉積成長氮化鋁/氮化鎵高電子遷移率電晶體
|
許恩慈; Sheu, En Cih; 張翼; 馬哲申 |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T00:55:19Z |
藉氮化鋁鈍化層與表面處理改善氮化鎵高電子遷移率電晶體 直流與高頻特性之研究
|
張家豪; Chang, Chia-Hao; 張翼; 馬哲申; Chang, Yi; Maa, Jer-Shen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:45:27Z |
1奈米等效厚度之氧化鑭與氧化鉿複合氧化物材料在砷化銦鎵金氧半元件之研究
|
侯姿清; Hou, Tzu-Ching; 張翼; 馬哲申; Chang, Edward-Yi; Maa, Jer-shen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:45:17Z |
利用場效電板改善氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體高功率元件特性與可靠性之研究
|
金秉頡; Chin, Ping-Chieh; 張翼; 馬哲申; Chang, Edward-Yi; Maa, Jer-Shen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:45:17Z |
以氧化鑭/氧化鉿堆疊式氧化層作為高功率氮化鎵高電子遷移率電晶體之閘極氧化層研究
|
藍偉誠; Lan, Wei-Cheng; 張翼; 馬哲申; Chang, Edward-Yi; Maa, Jer-Shen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:42:59Z |
多晶矽控制表面絨化以降低黑絲絨
|
謝世榮; Xie Shi-Rong; 馬哲申; Maa Jer-Shen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:39:52Z |
利用漸變氮化矽結合次波長結構應用在三五族三接面太陽能電池上之全波段抗反射層研究
|
駱曉潔; Lo, Hsiao-Chieh; 張翼; 馬哲申 |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:39:51Z |
利用有機化學氣相沉積法和非線性漸變緩衝層成長砷化銦鎵在砷化鎵基板上以及錯位應變和緩衝平台之研究
|
湯雲鎮; Tang,Yun-Cheng; 張翼; 馬哲申 |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:39:29Z |
離子束配向及光配向技術在大尺寸TFT-LCD之未來發展性研究
|
曹心潔; Tsao, Hsin-Chieh; 馬哲申; 鄭協昌; Maa, Jer-Shen; Jeng, Shie-Chang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:39:11Z |
利用氧化鋁/氧化氮堆疊當介電層的方式製作出可改善起始電壓穩定性的增強型氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體
|
宋奕佐; Song, Yi Zuo; 張翼; 馬哲申; Chang, Yi; Maa, Jer Shen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:38:55Z |
假型高電子遷移率場效電晶體之模擬研究
|
徐阡運; Hsu, Chien-Yun; 張翼; 馬哲申; Chang, Yi; Ma, Jer-shen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:38:40Z |
磊晶成長高阻值氮化鎵緩衝層在矽(111)基板
|
蔡秉諭; Tsai, Ping-Yu; 張翼; 馬哲申 |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:38:33Z |
藉由氮化鋁層間鈍化層之插入改善氮化矽氮化鋁鎵/氮化鎵金屬絕緣半導體高電子遷移率電晶體之漏電流及電流潰散效應
|
賴俊霖; Lai, Chung-Ling; 張翼; 馬哲申; Chang, Yi; Ma,Jer-Shen |
