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"馬哲申"
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| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:39:06Z |
利用中性粒子束蝕刻製作掘入式閘極增強型氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體於高頻高功率上的應用
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黃嘉慶; 張翼; 馬哲申; Huang, Chia-Ching; Chang, Edward Yi; Maa, Jer-Shen |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:38:30Z |
使用閘極介電質成長後電漿處理法改善三五族砷化銦鎵鰭式場效電晶體元件特性之研究
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張家齊; 張翼; 馬哲申; Chang, Chia-Chi; Chang, Yi; Maa, Jer-sen |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:37:33Z |
應用於氮化鎵高頻功率元件之碳化矽基板背向通孔製程
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邱奕儒; 張翼; 馬哲申; Chiu, Yi-Ju; Chang, Edward-Yi; Maa, Jer-Shen |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:02:51Z |
增強型氮化鋁鎵/氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體之臨界電壓模擬研究
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翁可力; Weng, Ke-Li; 張翼; 馬哲申; Chang, Edward Yi; Maa, Jer-Shen |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:02:43Z |
以氧化鑭/二氧化矽堆疊式氧化層作為高功率氮化鎵高電子遷移率電晶體之閘極氧化層之研究
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林岱葦; Lin, Tai-Wei; 張翼; 馬哲申; Chang, Edward-Yi; Maa, Jer-shen |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:02:42Z |
使用氮化鋁及閘極介電質成長後電漿處理法改善三五族砷化銦量子井場效電晶體元件特性之研究
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林冠宇; Lin, Guan-Yu; 馬哲申; 張翼; Maa, Jer-sen; Chang, Edward-Yi |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:02:40Z |
以混合式氧化鑭閘極氧化層改善氮化鎵 高電子遷移率電晶體線性度之研究
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施旺成; Shih, Wang-Cheng; 張翼,; 馬哲申; Chang, Edward-Yi; Maa, Jer-Shen |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:02:02Z |
側壁蝕刻與非合金歐姆接觸之增強型砷化銦通道高電子遷移率電晶體應用於高頻與低耗能邏輯元件之特性評估
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楊凱鈞; Yang, Kai-Chun; 張翼; 馬哲申; Chang, Yi; Maa, Jer-Shen |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T00:57:20Z |
利用有機金屬化學氣相沉積法探討使用鎵/銻介面處理對於成長銻化鎵薄膜於砷化鎵基板之影響
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劉俊寬; Liu, Chun-Kuan; 張翼; 馬哲申 |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T00:57:12Z |
利用低成本液態晶體聚合物基板結合覆晶封裝技術之射頻應用
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許逸翔; Yi-Hsiang Hsu; 張翼; 馬哲申; Chang , Edward-Yi; Maa , Jer-shen |
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