| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:37:07Z |
使用I-Line雙重曝光技術實現非對稱0.1μm P型金氧半場效電晶體與相關可靠度問題之研究
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張博翔; Chang, Po-Hisang; 林鴻志; 黃調元; Lin, Horng-Chih; Huang, Tiao-Yuan |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:37:06Z |
多晶矽奈米線結合內嵌式奈米矽晶體之SONOS記憶體元件之研究
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羅正瑋; Luo, Cheng-Wei; 林鴻志; 黃調元; Lin, Horng-Chih; Huang, Tiao-Yuan |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:36:57Z |
新式多晶矽奈米線SONOS元件製作與特性分析
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黃瑄勻; Hsuan-Yun Huang; 林鴻志; 黃調元; Horng-Chih Lin; Tiao-Yuan Huang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:31:54Z |
一種分析薄膜電晶體內完整能帶隙態位密度分佈的新穎方法
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蘇育正; Yu-Cheng Su; 黃調元; 林鴻志; Dr. Tiao-Yuan Huang; Dr. Horng-Chin Lin |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:31:46Z |
氧化鑭, 氧化鐠及氧化鉿介電層特性之研究
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林盈彰; Ying-Chang Lin; 黃調元; 簡昭欣; Tiao-Yuan Huang; Chao-Hsin Chien |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:31:04Z |
新穎矽奈米線元件之研製與應用
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蘇俊榮; Su, Chun-Jung; 林鴻志; 黃調元; Lin, Horng-Chih; Huang, Tiao-Yuan |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:31:01Z |
不同前處理對二氧化鉿閘極介電層在電特性的影響
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林柏青; Po-Ching Lin; 黃調元; 簡昭欣; Tiao-Yuan Huang; Chao-Hsin Chien |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:30:53Z |
具有氮化矽覆蓋之形變通道金氧半場效電晶體特性與相關可靠性問題研究
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盧景森; Lu, Ching-Sen; 林鴻志; 黃調元; Lin, Horng-Chih; Huang, Tiao-Yuan |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:27:12Z |
利用雙重微影成像法製作非對稱P型金氧半場效電晶體之研究
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張格綸; Chang, Ke-lun; 林鴻志; 黃調元; Lin, Horng-Chih; Huang, Tiao-Yuan |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:27:03Z |
使用I射線步進機的雙重圖形曝光技術以及其應用在元件製作之研究
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謝瑞桀; Hsieh, Rei-Jay; 林鴻志; 黃調元; Lin, Horng-Chih; Huang, Tiao-Yuan |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:27:01Z |
利用新穎結構對P型複晶矽薄膜電晶體進行之熱載子衰退機制分析
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陳政建; Chan, Cheng-Kin; 林鴻志; 黃調元; Lin, Horng-Chih; Huang, Tiao-Yuan |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:26:59Z |
新式雙閘極複晶矽奈米線薄膜電晶體與記憶體元件
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張育嘉; Chang, Yu-Chia; 林鴻志; 黃調元; Lin, Horng-Chih; Huang, Taio-Yuan |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:26:58Z |
複晶矽奈米線通道在雙閘極倒T型結構上之製作與特性分析
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戴君帆; 林鴻志; 黃調元 |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:26:58Z |
多晶鍺元件的研製與分析
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張佑寧; Chang, Yu-Ning; 林鴻志; 黃調元; Lin, Horng-Chih; Huang, Tiao-Yuan |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:24:31Z |
一種具有懸浮奈米線通道之新式元件的研製與分析
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李冠樟; Li, Guan-Jang; 林鴻志; 黃調元; Lin, Horng-Chih; Huang, Tiao-Yuan |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:24:28Z |
具獨立雙閘極之多晶矽奈米線薄膜電晶體的研製與分析
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陳威臣; Chen, Wei-Chen; 林鴻志; 黃調元; Lin, Horng-Chih; Huang, Tiao-Yuan |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:23:22Z |
新穎反轉式及無接面多閘極多晶矽奈米線薄膜電晶體特性與應用的探討
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林哲民; Zer-Ming Lin; 林鴻志; 黃調元; Horng-Chih Lin; Tiao-Yuan Huang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:21:28Z |
具場引效汲極的蕭特基能障薄膜電晶體之研製與特性分析
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葉冠麟; Kuan-Lin Yeh; 黃調元; 林鴻志; Tiao-Yuan Huang; Horng-Chih Lin |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:13:41Z |
低溫多晶矽技術對多晶矽奈米線薄膜電晶體通道結晶特性影響之研究
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林漢仲; Han-Chung Lin; 林鴻志; 黃調元; Horng-Chih Lin; Tiao-Yuan Huang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:13:35Z |
雙閘極奈米線非揮發性記憶元件之研製與分析
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江忠祐; Chung-Yu Chiang; 林鴻志; 黃調元; Horng-Chih Lin; Tiao-Yuan Huang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:13:33Z |
複晶矽雙閘極薄膜電晶體特性及電性擾動分析
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陳玲; Leng Chan; 林鴻志; 黃調元; 羅廣禮; Horng-Chih Lin; Tiao-Yuan Huang; Guang-Li Luo |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:13:33Z |
複晶矽薄膜電晶體的充放電機制用於記憶應用之研究
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洪政雄; Cheng-Hsiung Hung; 林鴻志; 黃調元; Horng-Chih Lin; Tiao-Yuan Huang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:13:32Z |
新式複晶矽奈米線元件製作與特性分析
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劉大偉; Liu Ta Wei; 林鴻志; 黃調元; Horng-Chih Lin; Tiao-Yuan Huang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:13:31Z |
金屬誘發側向結晶複晶矽薄膜電晶體可靠度課題及元件特性之研究
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洪文強; Wen-Chiang, Hong; 林鴻志; 黃調元; Horng-Chih Lin; Tiao-Yuan Huang |
| 亞洲大學 |
2014-03 |
A Gate-All-Around Floating-Gate Memory Device with Triangular-Shaped Poly-Si Nanowire Channels
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蔡宗叡;TSAI,JUNG-RUEY*;李克慧Lee, Ko-Hui Lee;林鴻志Lin, Horng-Chih;黃調元;Huang, Tiao-Yuan |
| 亞洲大學 |
2014-03 |
Phenethyl isothiocyanate triggers apoptosis in human malignant melanoma A375.S303 cells through reactive oxygen species and the mitochondria-dependent pathways
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蔡宗叡;TSAI,JUNG-RUEY;李克慧;Lee, Ko-Hui Lee;林鴻志;Lin, Horng-Chih;黃調元;Huang, Tiao-Yuan |
| 亞洲大學 |
2013-10 |
Low-voltage high-speed programming/erasing floating-gate memory device with gate-all-around polycrystalline silicon nanowire
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李克慧;Ko-Hui Lee;蔡宗叡;Jung-Ruey Tsai;張睿達;Ruey-Dar Chang;林鴻志;Horng-Chih Lin;黃調元;Tiao-Yuan Huang |
| 亞洲大學 |
2013-10 |
A Gate-All-Around Floating-Gate Memory Device with Triangular-Shaped Poly-Si Nanowire Channels
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蔡宗叡;TSAI, JUNG-RUEY;李克慧;Lee, Ko-Hui Lee;林鴻志;Lin, Horng-Chih;黃調元;Huang, Tiao-Yuan |
| 亞洲大學 |
2013-10 |
A Gate-All-Around Floating-Gate Memory Device with Triangular-Shaped Poly-Si Nanowire Channels
|
蔡宗叡;TSAI, JUNG-RUEY;李克慧;Lee, Ko-Hui Lee;林鴻志;Lin, Horng-Chih;黃調元;Huang, Tiao-Yuan |
| 亞洲大學 |
2013-10 |
Low-voltage high-speed programming/erasing floating-gate memory device with gate-all-around polycrystalline silicon nanowire
|
Lee, Ko-Hui;李克慧;蔡宗叡;TSAI, JUNG-RUEY;張睿達;Chang, Ruey-Dar;林鴻志;Huang, Horng-Chih;黃調元;Tiao-Yuan, Huang |
