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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2014-12-12T02:51:39Z 具有氮化矽覆蓋層之形變N型金氧半場效電晶體之元件特性與熱載子退化效應 謝雨霖; Yu-Lin Hsieh; 林鴻志; 黃調元; Horng-Chih Lin; Tiao-Yuan Huang
國立交通大學 2014-12-12T02:51:39Z 具有奈米線通道的多晶矽薄膜電晶體之特性改善 蔡銑泓; Hsien-Hung Tsai; 黃調元; 林鴻志; Tiao-Yuan Huang; Horng-Chin Lin
國立交通大學 2014-12-12T02:51:38Z 具倒T型閘極之多晶矽奈米線通道薄膜電晶體與氮化矽記憶體元件之製作與特性分析 徐行徽; Hsing-Hui Hsu; 林鴻志; 黃調元; Horng-Chih Lin; Tiao-Yuan Huang
國立交通大學 2014-12-12T02:51:38Z 氫含量對於矽鍺閘極元件之特性與可靠度分析 趙志誠; Chih-Cheng,Chao; 林鴻志; 黃調元; Horn-Chin,Lin; Tiao-Yuan,Huang
國立交通大學 2014-12-12T02:51:38Z 具有奈米線通道的矽鍺及雙閘極薄膜電晶體特性分析 洪振家; Jen-Jia Hung; 黃調元; 林鴻志; Tiao-Yuan Huang; Horng-Chih Lin
國立交通大學 2014-12-12T02:47:03Z 動態臨界電壓金氧半電晶體之特性及可靠性研究 李耀仁; Yao-Jen Lee; 黃調元; 趙天生; Tiao-Yuan Huang; Tien-Sheng Chao
國立交通大學 2014-12-12T02:46:26Z 複晶矽薄膜電晶體中漏電流及可靠度課題之研究 李明賢; Ming-Hsien Lee; 林鴻志; 黃調元; Horng-Chih Lin; Tiao-Yuan Huang
國立交通大學 2014-12-12T02:46:07Z 奈米尺寸之製程應變矽互補式金氧半場效電晶體之載子傳輸與負偏壓溫度不穩定之研究 林宏年; Hong-Nien Lin; 林鴻志; 黃調元; Horng-Chih Lin; Tiao-Yuan Huang
國立交通大學 2014-12-12T02:42:14Z 薄膜輪廓工法-氧化鋅薄膜電晶體之製作與特性分析 陳品岑; Chen, Pin-Tseng; 林鴻志; 黃調元; Lin, Horng-Chih; Huang, Tiao-Yuan
國立交通大學 2014-12-12T02:42:14Z 一氧化錫薄膜電晶體的製作與特性分析 陳旭培; Chen, Hsu-Pei; 林鴻志; 黃調元; Lin, Horng-Chih; Huang, Tiao-Yuan

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