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教育部委托研究计画 计画执行:国立台湾大学图书馆
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| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:37:53Z |
具有T型閘極的自我對準氧化鋅薄膜電晶體之製作與特性分析
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沈君達; 林鴻志; 黃調元; Shen, Jun-Da; Lin, Horng-Chih; Huang, Tiao-Yuan |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:37:38Z |
研究與提升保護層對於氧化鋅薄膜電晶體之影響
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黃翔生; 林鴻志; 黃調元; Huang, Hsiang-Sheng; Lin, Horng-Chih; Huang, Tiao-Yuan |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:36:58Z |
具背向閘極之混合式P/N通道無接面場效電晶體之研究
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吳宜剛; 張俊彥; 林鴻志; 黃調元; Wu, Yi-Kang; Chang, Chun-Yen; Lin, Horng-Chih; Huang, Tiao-Yuan |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:36:25Z |
薄膜輪廓工法之非晶銦鎵鋅氧薄膜電晶體之研製與分析
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謝博璿; 林鴻志; 黃調元; Shie, Bo-Shiuan; Lin, Horng-Chih; Huang, Tiao-Yuan |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:06:38Z |
以氧化鉿為介電層的電阻式記憶體之電性與分析
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王佳文; Wang, Chia-Wen; 林鴻志; 黃調元; Lin, Horng-Chih; Huang, Tiao-Yuan |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:04:09Z |
未摻雜之氧化鋅薄膜電晶體的製作與特性分析
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李信宏; Shin-Hung Li; 林鴻志; 黃調元; Lin, Horng-Chih; Huang, Tiao-Yuan |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:04:09Z |
a-IGZO 薄膜電晶體的製作與特性分析
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張維軒; Chang, Wei-Hsuan; 林鴻志; 黃調元; Lin, Horng-Chih; Huang, Tiao-Yuan |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:02:37Z |
利用氮化鋁鈍化層與遠端電漿表面處理於銦化砷鎵金氧半場效電晶體之電性與可靠度分析
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陳錦瀚; Chen, Chin-Han; 張翼; 黃調元; Chang, Yi; Huang, Tiao-Yuan |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:01:59Z |
使用氮化鋁及閘極介電質成長後電漿處理法改善三五族砷化銦鎵場效電晶體元件特性之研究
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鄭守博; Cheng, Shou-Po; 黃國威; 黃調元; Huang, Guo-Wei; Huang, Tiao-Yuan |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T00:57:16Z |
探討保護層對於非晶態銦鎵鋅氧化物薄膜電晶體穩定性之影響
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張智斌; Chang, Chih-Bin; 林鴻志; 黃調元; Lin, Horng-Chih; Huang, Tiao-Yuan |
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