| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:30:42Z |
具有鉑金屬矽化物之P通道蕭特基複晶矽薄膜電晶體的製造與分析
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李維; Wei Lee; 黃調元; 林鴻志; Dr. Tiao-Yuan Huang; Dr. Horng-Chih Lin |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:30:38Z |
超薄先進閘極介電層之成長與特性研究：氮氧化矽與氧化鋯及其矽酸鹽
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陳宏瑋; Hung-Wei Chen; 黃調元; 趙天生; Tiao-yuan Huang; Tien-Sheng Chao |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:29:35Z |
具鰭狀通道之蕭特基源/汲極SOI場效電晶體之製作與分析
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侯福居; Fu Ju Hou; 黃調元; 林鴻志; Tiao Yuan Huang; Horng Chih Lin |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:28:17Z |
新式金氧半場效電晶體之閘極與源/汲極工程研究
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王夢凡; Meng-Fan Wang; 黃調元; 林鴻志; Tiao-Yuan Huang; Horng-Chih Lin |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:28:05Z |
NBTI對具有超薄介電層深次為P米型通道電晶體特性影響之研究
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江婉如; Chiang Wan-Ju; 黃調元; 林鴻志; Dr. Tiao-Yuan Huang; Dr. Horng-Chih Lin |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:28:05Z |
具有電場感應汲極的蕭特基阻障多晶矽薄膜電晶體之研究
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蔡仁威; Ren-Wei Tsai; 黃調元; 林鴻志 |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:26:27Z |
先進材料應用於複晶矽薄膜電晶體之研究
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楊明瑞; Yang, Ming-Jui; 簡昭欣; 黃調元; Chien, Chao-Hsin; Huang, Tiao-Tuan |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:26:21Z |
以閘極感應與通道感應方法與脈衝電流電壓技術分析SONOS類型元件中捕捉電荷之特性
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杜姵瑩; Du, Pei-Ying; 黃調元; 呂函庭; Huang, Tiao-Yuan; Lue, Hang-Ting |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:25:35Z |
具有電場感應汲極之薄膜電晶體的研製與分析
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陳國華; Kuo-Hwa Chen; 黃調元; 林鴻志; Tiao-Yuan Huang; Horng-Chih Lin |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:25:35Z |
具有蕭特基源/汲極能障SOI金氧半場效電晶體之製作與研究
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呂嘉裕; Chia-Yu Lu; 黃調元; 林鴻志; Tiao-Yuan Huang; Horng-Chih Lin |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:25:32Z |
軟性崩潰對深次微米 n 型通道金氧半電晶體特性
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蔡旻郁; Min-Yu Tsai; 黃調元; 林鴻志; Tiao-Yuan Huang; Horng-Chih Lin |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:25:31Z |
蕭特基阻障多晶矽薄膜電晶體之研製
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黃若谷; Ruo Gu Huang; 黃調元; 林鴻志; Tiao-Yuan Huang; Horng-Chih Lin |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:24:06Z |
具有複晶矽鍺閘極與局部形變通道之P型金氧半場效電晶體元件製作與分析
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張伊鋒; Yi-Feng Chang; 黃調元; 林鴻志; Tiao-Yuan Huang; Horng-Chih Lin |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:23:54Z |
後沉積之一氧化二氮氣體電漿處理對二氧化鉿堆疊式閘極金氧半場效電晶體電性之影響
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李聰杰; Tsung-Chieh Lee; 黃調元; 簡昭欣; Tiao-Yaun Huang; Chao-Hsin Chien |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:23:24Z |
氟摻雜對二氧化鉿堆疊式閘極P型金氧半場效電晶體其可靠性的影響
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藍文廷; Lan Wen-Ting; 黃調元; 簡昭欣 |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:23:16Z |
超淺接面製程及鈦鈷堆疊結構形成矽化鈷之特性研究
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陳志遠; Chi-Yuan Chen; 黃調元; 林鴻志; Tiao-Yuan Huang; Horng-Chih Lin |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:23:14Z |
超薄氧化層崩潰特性之研究
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李建源; Chien-Yuan Lee; 黃調元; 林鴻志; Tiao-Yuan Huang; Horng-Chin Lin |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:23:14Z |
電漿製程對N通道金氧半場效應電晶體之損害效應
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林世偉; Syhy-Woei Lin; 黃調元; 林鴻志; Dr. Tiao-Yuan Huang; Dr. Horng-Chih Lin |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:20:46Z |
電漿處理對低溫複晶矽薄膜電晶體特性和可靠度之影響
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楊明瑞; Ming-Rang Yang; 黃調元; Dr. Tiao-Yuan Huang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:20:46Z |
製程參數對複晶矽TEOS介電層特性之影響
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盧文泰; Wen-Tai Lu; 黃調元; 趙天生; Dr. Tiao-Yuan Huang; Dr. Tien-Sheng Chao |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:18:23Z |
角狀懸浮閘之快閃式記憶體特性及可靠性研究
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蔣富成; 黃調元 |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:17:33Z |
複晶矽薄膜電晶體製程效應之研究
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吳駿昇; Wu, Jun-Sen; 黃調元; Tiao-Yuan Huang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:05:47Z |
氮化處理與氟摻雜對二氧化鉿堆疊式閘極介電層金氧半場效電晶體其電性特性與可靠性影響
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盧文泰; Wen-Tai Lu; 黃調元; Tiao-Yuan Huang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:55:08Z |
N型多晶矽薄膜電晶體元件製作與高頻特性分析
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林廷燿; Lin, Ting Yao; 林鴻志; 黃調元; Lin, Horng Chih; Huang, Tiao Yuan |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:55:07Z |
通道截面形狀對多晶矽奈米線非揮發性記憶體元件操作特性影響之研究
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陳盈宇; Chen, Ying-Yu; 林鴻志; 黃調元; Lin, Horng-Chih; Huang, Tiao-Yuan |
