| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:08:42Z |
CCl F 及CHF 氣體在活性離子蝕刻系統中對Si及SiO 表面之蝕刻及成膜行為
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陳俊麟; CHEN,JUN-LIN; 龍文安; LONG,WEN-AN |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:08:42Z |
Poly(tutene-1 sulfone)作為深紫外光正型阻劑及其氮電漿表面改質之研究
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張憲武; ZHANG,XIAN-WU; 龍文安; LONG,WEN-AN |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:08:14Z |
酸性硬金的槽液組成及光澤劑之研究
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林淙敏; LIN,CHONG-MIN; 龍文安; 林均輝; LONG,WEN-AN; LIN,JUN-HUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:07:56Z |
減光型相移圖罩材質研究與二孔偏軸發光成像模擬
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林志鴻; Lin Chih-hung; 龍文安; Loong Wen-an |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:07:47Z |
微影成像對比加強材料性質之直接模擬
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潘鴻賜; PAN,HONG-SI; 龍文安; LONG,WEN-AN |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:07:47Z |
經鉀溶液處理以強化表面抗氧活性離子蝕刻之單層乾式顯影
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蘇安娜; SU,AN-NA; 龍文安; LONG.WEN-AN |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:07:43Z |
銦砷化鎵光導開關式光偵測器之研製
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林智勇; LIN,ZHI-YONG; 龍文安; LONG,WEN-AN |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:06:21Z |
Poly(triallylphenylsilane)+Bisazide與Hexamethoxymethylmelamine+Poly (p-hydroxystyrene) 二種負型阻劑系統性質研究
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王清帆; Wang, Qing-Fan; 龍文安; Long, Wen-An |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:06:07Z |
微影成像影像倒置製程之研究
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林煌崑; LIN, HUANG-KKUN; 龍文安; LONG, WEN-AN |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:06:06Z |
Poly(triallylphenylsilane)+Bisazide與Hexamethoxymethylmelamine+Poly (p-hydroxystyrene) 二種負型阻劑系統性質研究
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王清帆; WANG, GING-FAN; 龍文安; LONG, WEN-AN |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:06:06Z |
以PPIPK 及PMIPK 做為正型、負型阻劑及受離子束撞擊微影成像性質研究
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彭念祖; PENG, NIAN-ZU; 龍文安; LONG, WEN-AN |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:06:06Z |
有機矽聚合物做為微影成像對比加強材料之研究
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何銘燁; HE, MING-YE; 龍文安; LONG, WEN-AN |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:06:06Z |
光酸催化應用於微影成像之研究
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陳榮雄; CHEN, RONG-XIONG; 龍文安; LONG, WEN-AN |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:05:11Z |
氧化態與硫化態鈷鉬系加氫脫硫觸媒性質之研究
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游清泉; YOU, GING-GUAN; 龍文安; LONG, WEN-AN |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:05:11Z |
氧電漿及深紫外光攜附式光罩之研究
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黃俊雄; HUANG, JUN-XIONG; 龍文安; LONG, WEN-AN |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:04:43Z |
酸性硬質鍍金的槽液組成及光澤劑之研究
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林淺敏; 龍文安; 林均輝 |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:04:42Z |
Polyformyloxystyrene光阻微影成像性質之研究
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洪維民; HONG, WEI-MIN; 龍文安; LONG, WEN-AN |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:04:42Z |
有機矽聚合物正型光阻劑微影成像性質之研究
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王宗雄; WANG, ZONG-XIONG; 龍文安; LONG, WEN-AN |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:03:22Z |
固態超強酸的製備及其表面性質與催化活性相關性之研究
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李顯宗; LIN, XIAN-ZONG; 龍文安; LONG, WEN-AN |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:30:46Z |
模擬探討以減光-緣邊-外架型相移圖罩製備45奈米接觸孔與以散條提升28奈米線焦深
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林建維; Lin, Chien-Wei; 龍文安; Loong, Wen-An |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:17:21Z |
模擬探討以散條提升32奈米線幅禁止間距焦深
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黃志全; Huang Chih-chuan; 龍文安; Loong Wen-an |
