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國立成功大學 2021 Ultra-Low Power Robust 3bit/cell Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric FinFET with High Endurance for Advanced Computing-In-Memory Technology De, S.;Lu, D.D.;Le, H.-H.;Mazumder, S.;Lee, Y.-J.;Tseng, W.-C.;Qiu, B.-H.;Baig, Md.A.;Sung, P.-J.;Su, C.-J.;Wu, C.-T.;Wu, Wu W.-F.;Yeh, W.-K.;Wang, Y.-H.

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