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國立中山大學 2006 A Novel Fabrication of Germanium Nanocrystal Embedded in Silicon-Oxygen-Nitride Layer C.H. Tu;T.C. Chang;P.T. Liu;H.C. Liu;C.F. Weng;J.H. Shy;B.H. Tseng;T.Y. Tseng;S.M. Sze;C.Y. Chang
國立中山大學 2006 Improvement of electrical characteristics for fluorine-ion-implanted poly-Si TFTs using ELC C.H. Tu;T.C. Chang;P.T. Liu;C.Y. Yang;C.H. Liu;W.R. Chen;Y.C. Wu;C.Y. Chang
國立中山大學 2006 Formation of germanium nanocrystals embedded in silicon-oxygen-nitride layer C.H. Tu;T.C. Chang;P.T. Liu;H.C. Liu;S.M. Sze;C.Y. Chang
國立中山大學 2006 Electrical Enhancement of Solid Phase Crystallized Poly-Si Thin-Film Transistors with Fluorine Ion Implantation C.H. Tu;T.C. Chang;P.T. Liu;C.H. Chen;C.Y. Yang;Y.C. Wu;H.C. Liu;L.T. Chang;C.C. Tsai;S.M. Sze;C.Y. Chang
國立中山大學 2006 A novel method for growing polycrystalline Ge layer by using UHVCVD C.H. Tu;T.C. Chang;P.T. Liu;T.H. Yang;H.W. Zan;C.Y. Chang
國立中山大學 2006 High performance metal-induced lateral-crystallization polysilcion thin film transistor with multiple nanowire channel and multiple gates Y.C. Wu;T.C. Chang;P.T. Liu;C.W. Chou;Y.C. Wu;C.H. Tu;C.Y. Chang
國立中山大學 2006 The Improved Memory Window for Ge Nanocrystals Embedded in SiON Layer C.H. Tu;T.C. Chang;P.T. Liu;H.C. Liu;Simon M. Sze;C.Y. Chang
國立中山大學 2006 Formation of silicon germanium nitride layer with distributed charge storage elements C.H. Tu;T.C. Chang;P.T. Liu;H.C. Liu;W.R. Chen;C.C. Tsai;L.T. Chang;C.Y. Chan
國立中山大學 2006 Improvement of Hydrogenated Amorphous Silicon TFT Performances With Low-k Siloxane-Based Hydrogen Silsesquioxane (HSQ) Passivation Layer T.S. Chang;T.C. Chang;P.T. Liu;T.S. Chang;C.H. Tu;F.S. Yeh
國立中山大學 2005 Improvement of reliability for polycrystalline thin film transistor using self-aligned fluorinated silica glass spacers C.H. Tu;T.C. Chang;P.T. Liu;H.W. Zan;Y.H. Tai;Y.C. Wu;C.Y. Chang

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