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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2014-12-08T15:05:46Z HIGH-REFLECTIVITY ALAS0.52SB0.48/GAINAS(P) DISTRIBUTED BRAGG MIRROR ON INP SUBSTRATE FOR 1.3-1.55-MU-M WAVELENGTHS TAI, K; FISCHER, RJ; CHO, AY; HUANG, KF
國立交通大學 2014-12-08T15:04:57Z EFFECTS OF SB4/GA RATIOS ON THE ELECTRICAL-PROPERTIES OF GASB SCHOTTKY DIODES WANG, YH; HOUNG, MP; SZE, PW; CHEN, JF; CHO, AY
國立交通大學 2014-12-08T15:04:54Z THE EFFECTS OF GASB/INAS BROKEN GAP ON INTERBAND TUNNELING CURRENT OF A GASB/INAS/GASB/ALSB/INAS TUNNELING STRUCTURE CHEN, JF; CHO, AY
國立交通大學 2014-12-08T15:04:49Z INTERBAND TUNNELING BETWEEN VALENCE-BAND AND CONDUCTION-BAND QUANTUM-WELLS IN A GASB/ALSB/INAS/ALSB/GASB/ALSB/INAS TRIPLE-BARRIER STRUCTURE CHEN, JF; CHO, AY
國立交通大學 2014-12-08T15:04:36Z MOLECULAR-BEAM EPITAXY GROWTH OF INAS-ALSB-GASB INTERBAND TUNNELING DIODES CHEN, JF; CHO, AY
國立交通大學 2014-12-08T15:03:44Z INVESTIGATION OF NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE PHENOMENA IN GASB/ALSB/INAS/GASB/ALSB/INAS STRUCTURES WANG, YH; LIU, MH; HOUNG, MP; CHEN, JF; CHO, AY
國立交通大學 2014-12-08T15:03:35Z ELECTRICAL-PROPERTIES OF UNDOPED AND SNTE-DOPED GAXIN1-XSB MOLECULAR-BEAM-EPITAXIALLY GROWN ON GAAS CHEN, JF; JAW, SH; CHO, AY

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