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國立交通大學 2017-04-21T06:55:48Z Effective surface treatment for GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors using HF plus N-2 plasma prior to SiN passivation Liu, Shih-Chien; Trinh, Hai-Dang; Dai, Gu-Ming; Huang, Chung-Kai; Dee, Chang-Fu; Majlis, Burhanuddin Yeop; Biswas, Dhrubes; Chang, Edward Yi
國立交通大學 2016-03-28T00:04:26Z Effective surface treatment for GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors using HF plus N-2 plasma prior to SiN passivation Liu, Shih-Chien; Trinh, Hai-Dang; Dai, Gu-Ming; Huang, Chung-Kai; Dee, Chang-Fu; Majlis, Burhanuddin Yeop; Biswas, Dhrubes; Chang, Edward Yi
國立交通大學 2014-12-12T02:39:14Z 利用氮化鋁/氮化矽作為閘極介電質及鈍化層之低電流崩潰氮化鎵金屬絕緣層半導體高速電子遷移率電晶體 戴谷銘; Dai ,Gu-Ming; 張翼; 張俊彥; Chang, Yi; Chang, Chun-Yen

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