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机构	日期	题名	作者
國立成功大學	2018-02	Barium Zirconate Nickelate as the Gate Dielectric for Low-Leakage Current Organic Transistors	Lee;Cheng-Jung;Lee;Ke-Jing;Chang;Yu-Chi;Wang;Li-Wen;Chou;Der-Wei;Wang;Yeong-Her

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