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机构	日期	题名	作者
國立成功大學	2021-03-1	Geometric and Electronic Properties of Monolayer HfX2 (X = S, Se, or Te): A First-Principles Calculation	Huynh;Duyen, Thi My;Nguyen;Khanh, Duy;Nguyen;Hien, Thi Dieu;Dien;Khuong, Vo;Pham;Duong, Hai;Lin;Ming-Fa

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