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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2014-12-12T02:30:42Z 具有鉑金屬矽化物之P通道蕭特基複晶矽薄膜電晶體的製造與分析 李維; Wei Lee; 黃調元; 林鴻志; Dr. Tiao-Yuan Huang; Dr. Horng-Chih Lin
國立交通大學 2014-12-12T02:28:05Z NBTI對具有超薄介電層深次為P米型通道電晶體特性影響之研究 江婉如; Chiang Wan-Ju; 黃調元; 林鴻志; Dr. Tiao-Yuan Huang; Dr. Horng-Chih Lin
國立交通大學 2014-12-12T02:23:14Z 電漿製程對N通道金氧半場效應電晶體之損害效應 林世偉; Syhy-Woei Lin; 黃調元; 林鴻志; Dr. Tiao-Yuan Huang; Dr. Horng-Chih Lin
國立交通大學 2014-12-12T02:20:46Z 電漿處理對低溫複晶矽薄膜電晶體特性和可靠度之影響 楊明瑞; Ming-Rang Yang; 黃調元; Dr. Tiao-Yuan Huang
國立交通大學 2014-12-12T02:20:46Z 製程參數對複晶矽TEOS介電層特性之影響 盧文泰; Wen-Tai Lu; 黃調元; 趙天生; Dr. Tiao-Yuan Huang; Dr. Tien-Sheng Chao
國立交通大學 2014-12-12T01:31:54Z 一種分析薄膜電晶體內完整能帶隙態位密度分佈的新穎方法 蘇育正; Yu-Cheng Su; 黃調元; 林鴻志; Dr. Tiao-Yuan Huang; Dr. Horng-Chin Lin

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