臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

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機構	日期	題名	作者
元智大學	Nov-22	Effect of the Indium Compositions in Tri-Gate InxGa1−xAs HEMTs for High-Frequency Low Noise Application	李清庭; C. Wang; C. N. Kuo; Y. C. Lin; H. T. Hsu; Y. F. Tsao; E. Y. Chang
元智大學	Nov-14	Monolithic wideband linear power amplifier with 45% power bandwidth using pseudomorphic high-electron-mobility transistors for long-term evolution application	Che-Yang Chiang; H. T. Hsu; E. Y. Chang
元智大學	Mar-23	Effects on RF Performance for AlGaN/GaN HEMT on Si Substrate with AlGaN Buffer Engineering	李清庭; Y. C. Weng; H. T. Hsu; Y. F. Tsao; D. Panda; H. Y. Huang; M. L. Kao; Y. P. Lan; E. Y. Chang
元智大學	Mar-23	Effects on RF Performance for AlGaN/GaN HEMT on Si Substrate with AlGaN Buffer Engineering	李清庭; Y. C. Weng; H. T. Hsu; Y. F. Tsao; D. Panda; H. Y. Huang; M. L. Kao; Y. P. Lan; E. Y. Chang
元智大學	Jun-22	A Comprehensive Study of Total Ionizing Dose Effect on the Electrical Performance of the GaN MIS-HEMT	李清庭; C. Y. Yang; C. H. Chung; W. Yu; C. J. Ma; S. R. Wu; A. Dixit; E. Y. Chang
元智大學	Jul-22	Growth of Ultrathin barrier InAlGaN/GaN Heterostructures with Superior Properties Using Sputtered AlN/sapphire Templates and Optimized Group-III Injection Rate by Metalorganic Chemical Vapor Phase Deposition	李清庭; X. X. Zheng; C. Wang; J. H. Huang; J. Y. Huang; D. Ueda; K. Pande; C. F. Dee; E. Y. Chang
元智大學	Jul-14	Performance Enhancement of Flip-Chip Packaged AlGaN/GaN HEMTs Using Active- Region Bumps Induced Piezoelectric Effect	Szu-Ping Tsai; H. T. Hsu; Che-Yang Chiang; Yung-Yi Tu; Chia-Hua Chang; Ting-En Hsieh; Huan-Chung Wang; Shih-Chien Liu; E. Y. Chang
元智大學	Feb-23	Effects of AlN/GaN superlattice buffer layer on performances of AlGaN/GaN HEMT grown on silicon for sub-6 GHz applications	李清庭; L. T. Hieu; H. T. Hsu; C. H. Chiang; D. Panda; C. H. Lin; E. Y. Chang
元智大學	Feb-23	Effects of AlN/GaN superlattice buffer layer on performances of AlGaN/GaN HEMT grown on silicon for sub-6 GHz applications	李清庭; L. T. Hieu; H. T. Hsu; C. H. Chiang; D. Panda; C. H. Lin; E. Y. Chang
元智大學	Feb-23	Improved Off-State Leakage Current and Cutoff Frequency for AlGaN/GaN HEMT by Using Silicon-on-Insulator	李清庭; L. T. Hieu; H. T. Hsu; D. Panda; C. H. Lin; E. Y. Chang

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