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Date
Title
Author
元智大學
2014-1-1
Investigation of the Flip-Chip Package With BCB Underfill for W-Band Applications
Chin-Te Wang; Li-Han Hsu; Wei-Cheng Wu; H. T. Hsu; E. Y. Chang; Yin-Chu Hu; Ching-Ting Lee; Szu-Ping Tsai
元智大學
2014-1-1
Investigation of the Flip-Chip Package With BCB Underfill for W-Band Applications
Chin-Te Wang; Li-Han Hsu; Wei-Cheng Wu; H. T. Hsu; E. Y. Chang; Yin-Chu Hu; Ching-Ting Lee; Szu-Ping Tsai
元智大學
2014-1-1
Investigation of the Flip-Chip Package With BCB Underfill for W-Band Applications
Chin-Te Wang; Li-Han Hsu; Wei-Cheng Wu; H. T. Hsu; E. Y. Chang; Yin-Chu Hu; Ching-Ting Lee; Szu-Ping Tsai
元智大學
2014-07
Performance Enhancement of Flip-Chip Packaged AlGaN/GaN HEMTs Using Active-Region Bumps-Induced Piezoelectric Effect
Szu-Ping Tsai; H. T. Hsu; Che-Yang Chiang; Yong-Yi Tu; Chia-Hua Chang; Tin-En Hsieh; Huan-Chung Wang; Sz-Chien Liu; E.Y.Chang
元智大學
2013-11
Effect of Indium Content on the Logic Performance of 80-nm Quantum-Well Field-Effect Transistors (QWFETs)
Heng-Tung Hsu; Chien-I Kuo; Che-Yang Chiang; E. Y. Chang
元智大學
2013-11
Effect of Indium Content on the Logic Performance of 80-nm Quantum-Well Field-Effect Transistors (QWFETs)
Heng-Tung Hsu; Chien-I Kuo; Che-Yang Chiang; E. Y. Chang
元智大學
2013-03
InAs Thin-Channel High-Electron-Mobility Transistors with Very High Current-Gain Cutoff Frequency for Emerging Submillimeter-Wave Applications
E. Y. Chang; C. I. Kuo; Heng-Tung Hsu; Che-Yang Chiang; Y. Miyamoto
元智大學
2012-11
Bias-Dependent Radio Frequency Performance for 40nm InAs High-Electron-Mobility Transistor with a Cutoff Frequency Higher than 600 GHz
F. Fatah; C. I. Kuo; H. T. Hsu; C. Y. Chiang; C. Y. Hsu; Y. Miyamoto; E. Y. Chang
元智大學
2012-06
Effect of Gate Length on Device Performances of AlSb/InAs High Electron Mobility Transistors Fabricated Using BCl3 Dry Etching
C.I. Kuo; Heng-Tung Hsu; C.Y. Hsu; C.H. Yu; H.C. Ho; E.Y. Chang; J.I. Chyi
元智大學
2012-04-26
BCl3 ICP Dry Etching on AlSb/InAs HEMTs for Low-Voltage Operations
C.I.Kuo; Heng-Tung Hsu; C.Y. Hsu; C.H.Yu; H.C.Ho; G. W. Huang, , and ; E.Y. Chang; J.I. Chyi
元智大學
2012-04-26
BCl3 ICP Dry Etching on AlSb/InAs HEMTs for Low-Voltage Operations
C.I.Kuo; Heng-Tung Hsu; C.Y. Hsu; C.H.Yu; H.C.Ho; G. W. Huang, , and ; E.Y. Chang; J.I. Chyi
元智大學
2010-12
Improvement in RF Performance of 40-nm InAs-Channel Based HEMTs Using Pt Gate Sinking With Two-Step Recess Processes Technology
C.I.Kuo; Heng-Tung Hsu; Chien-Ying Wu; E.Y.Chang; Chen-Yu Lin; Wee-Chin Lim
元智大學
2010-12
Improvement in RF Performance of 40-nm InAs-Channel Based HEMTs Using Pt Gate Sinking With Two-Step Recess Processes Technology
C.I.Kuo; Heng-Tung Hsu; Chien-Ying Wu; E.Y.Chang; Chen-Yu Lin; Wee-Chin Lim
元智大學
2010-08
Improvement on the noise performance of InAs-based HEMTs with gate sinking technology
Heng-Tung Hsu; C.I.Kuo; E.Y.Chang; F.-Y.Kuo
元智大學
2010-05
An 80 nm In0.7Ga0.3As MHEMT with Flip-Chip Packaging for W-Band LNA Applications
許恒通; C.-T. Wang; C.-I. Kuo; W.-C. Lim; L.-H. Hsu; Y. Miyamoto; E.Y. Chang; S.-P. Tsai; Y.-S. Chiu
元智大學
2010-05
An 80 nm In0.7Ga0.3As MHEMT with Flip-Chip Packaging for W-Band LNA Applications
許恒通; C.-T. Wang; C.-I. Kuo; W.-C. Lim; L.-H. Hsu; Y. Miyamoto; E.Y. Chang; S.-P. Tsai; Y.-S. Chiu
元智大學
2007-02
Effect of gate sinking on the device performance of the InGaP/AlGaAs/ InGaAs enhancement-mode PHEMT
許恒通; L.H. Chu; E. Y. Chang; L. Chang; Y. H. Wu; S. H. Chen; T. L. Lee; Y. C. Lien; C. Y. Chang
元智大學
2007-02
SPDT GaAs switches with copper metallized interconnects
許恒通; Y. C. Wu; E. Y. Chang; Y. C. Lin; S. H. Chen; W. C. Wu; L. H. Chu; C. Y. Chang
國立臺灣海洋大學
2006-12
An immunological study of the Red Drum (Sciaenops ocellatus, Linnaeus)-Specific 80 kDa Protein in Taiwan Fishes
E. Y. Chang;I.C. Liao
國立臺灣海洋大學
2006-12
An immunological study of the Red Drum (Sciaenops ocellatus, Linnaeus)-Specific 80 kDa Protein in Taiwan Fishes
E. Y. Chang;I C. Liao
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