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机构 日期 题名 作者
國立臺灣海洋大學 2010-04-01 Optical polarization and internal quantum efficiency for InGaN quantum wells on a-plane GaN E.Y. Lin;C.Y. Chen;T.S. Lay;Z.X. Peng;T.Y. Lin;T.C. Wang;J.D. Tsay
國立中山大學 2008-05-26 Internal quantum efficiency and optical polarization analysis of InGaN/GaN multiple quantum wells on a-plane GaN E.Y. Lin;C.Y. Chen;T.S. Lay;T.C. Wang;J.D. Tsay;P.X. Peng;T.Y. Lin
國立臺灣海洋大學 2008-05 Internal quantum efficiency and optical polarization analysis of InGaN/GaN multiple quantum wells on a-plane GaN E. Y. Lin;C. Y. Chen;T. S. Lay;T. C. Wang;J. D. Tsay;P. X. Peng;T. Y. Lin
國立中山大學 2007 Accurate model including Coulomb-enhanced and Urbach-broadened absorption spectrum of direct-gap semiconductors E.Y. Lin;T.S. Lay;T.Y. Chang
國立中山大學 2006 Empirical model including band-to-band Coulomb interaction for refractive indices of GaAs and InP-based materials at photon energies near and above the band-gap E.Y. Lin;T.S. Lay;T.Y. Chang
國立中山大學 2006 Modulation-doped InGaAlAs/InP semiconductor optical amplifier structures grown by molecular beam epitaxy David J.Y. Feng;C.L. Chiu;E.Y. Lin;T.S. Lay;T.Y. Chang
國立中山大學 2006 Effect of well-width and modulation-doping distributions on spectral characteristics for asymmetric multiple quantum wells C.Y. Chen;G.J. Din;David J.Y. Feng;E.Y. Lin;T.S. Lay;T.Y. Chang
國立中山大學 2005 Optical and deep-level spectroscopic study on In0.38GaAsNx/GaAs single-quantum-well structures of x ? 3% grown by molecular beam epitaxy T.S. Lay;E.Y. Lin;C.Y. Chang;K.M. Kong;L.P. Chen;T.Y. Chang;J.S. Wang;G. Lin;J.Y. Chi

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