English  |  正體中文  |  简体中文  |  總筆數 :0  
造訪人次 :  50705012    線上人數 :  326
教育部委託研究計畫      計畫執行:國立臺灣大學圖書館
 		 
搜尋範圍 進階搜尋
臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)
關於TAIR
計畫說明

瀏覽
典藏機構
作者
題名
日期
統計圖表
機構即時統計
學術趨勢

消息
2019臺灣學術機構典藏
研討會
機構典藏系統RC7版本已
發佈

著作權
出版社及期刊政策查詢
TAIR著作權會議記錄

相關連結
機構典藏計畫網站
ROAR
OpenDOAR
SHERPA
OAIster
JAIRO
Ira
DSPACE
RWWR
臺大學術典藏NTU Scholars
臺灣機構典藏 TAIR >  依作者瀏覽

"edward yi chang"的相關文件

回到依作者瀏覽
依題名排序 依日期排序

顯示項目 31-55 / 122 (共5頁)
<< < 1 2 3 4 5 > >>
每頁顯示[10|25|50]項目

機構 日期 題名 作者
國立交通大學 2014-12-12T02:18:23Z 以有機金屬化學氣相沉積法成長磷化銦鎵及砷化鎵異質接面雙載子電晶體之銅金屬化研究 張俊偉; Chun-Wei Chang; 張翼; Edward Yi Chang
國立交通大學 2014-12-12T02:01:16Z 鈀/鍺/鉬(鉻)/銅歐姆接觸應用在磷化銦鎵/砷化鎵異質接面雙載子電晶體 謝東霖; Tung-Ling Hsieh; 張翼; Edward Yi Chang
國立交通大學 2014-12-12T02:01:16Z 砷化鎵/磷化銦鎵異質結構介面的LP-MOCVD成長與研究及其在蝕刻阻障層的應用 葉協鑫; Shien-Shin Yeh; 張翼; Edward Yi Chang
國立交通大學 2014-12-12T01:45:38Z 以自行研發之有機金屬化學氣相沉積系統成長發光二極體之磊晶結構 陳凱崴; Chen, Kai-Wei; 張翼; Edward, Yi Chang
國立交通大學 2014-12-12T01:44:33Z 砷化鎵低噪音假晶高電子遷移率電晶體之銅金屬化導線製程 張晃崇; Huang-Choung Chang; 張翼; Edward Yi Chang
國立交通大學 2014-12-12T01:23:12Z 偏光廠揮發性有機氣體尾氣處理改善研究 劉順和; liu shuanho; 張翼; Edward Yi Chang
國立交通大學 2014-12-12T01:16:31Z 利用低成本高分子基板結合覆晶封裝技術之高頻及機械特性之探討 胡志偉; Oh Chee Way; 張翼; Edward Yi Chang
國立交通大學 2014-12-12T01:16:30Z 應用鈀/鍺/銅歐姆接觸至砷化銦鎵之全面銅金屬化磷化銦鎵/砷化鎵異質接面雙載子電晶體 謝勝禮; Sheng-Li Shie; 張翼; Edward Yi Chang
國立交通大學 2014-12-12T01:16:28Z 磷化銦鎵高電子遷移率電晶體暨砷化銦鎵金氧半高電子遷移率電晶體於高頻與數位應用之探討 鍾榮濤; Chung, Jung-Tao; 張翼; Edward Yi Chang
國立交通大學 2014-12-12T01:16:28Z 利用次微米級圖形化藍寶石基板製作氮化銦鎵-氮化鎵發光二極體之研究 蕭世匡; Shih-Kuang Hsiao; 張翼; Edward Yi Chang
元智大學 2013-11 Assessment of Thermal Impact on Performance of Metamorphic High-Electron-Mobility Transistors on Polymer Substrates Using Flip-Chip-on-Board Technology Ching-Te Wang; Heng-Tung Hsu; Che-Yang Chiang; Edward Yi Chang; Wee-Chin Lim
元智大學 2013-02 Performance Evaluation of InGaSb/AlSb P-Channel High-Hole-Mobility Transistor Faricated Using BCl3 Dry Etching Chia-Hui YU; Heng-Tung Hsu; Che-Yang Chiang; Chien-I Kuo; Yasuyuki Miyamoto; Edward Yi Chang
元智大學 2013-02 Performance Evaluation of InGaSb/AlSb P-Channel High-Hole-Mobility Transistor Faricated Using BCl3 Dry Etching Chia-Hui YU; Heng-Tung Hsu; Che-Yang Chiang; Chien-I Kuo; Yasuyuki Miyamoto; Edward Yi Chang
元智大學 2012-12-04 Impact of Bonding Temperature on the Performance of In0.6Ga0.4As Metamorphic High Electron Mobility Transistor (mHEMT) Device Packaged Using Flip-Chip-on-Board (FCOB) Technology Che-Yang Chiang; Heng-Tung Hsu; Chien-I Kuo; Ching-Te Wang; Wee Chin Lim; Edward Yi Chang
元智大學 2012-12-04 Fabrication of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs) on Silicon Substrate with Slant Field Plates Using Deep-UV Lithography Featuring 5W/mm Power Density at X-band CHIA-HUA CHANG; Heng-Tung Hsu; Lu-Che Huang; Che-Yang Chiang; Edward Yi Chang
元智大學 2012-12-04 Fabrication of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs) on Silicon Substrate with Slant Field Plates Using Deep-UV Lithography Featuring 5W/mm Power Density at X-band CHIA-HUA CHANG; Heng-Tung Hsu; Lu-Che Huang; Che-Yang Chiang; Edward Yi Chang
元智大學 2012-12-04 Impact of Bonding Temperature on the Performance of In0.6Ga0.4As Metamorphic High Electron Mobility Transistor (mHEMT) Device Packaged Using Flip-Chip-on-Board (FCOB) Technology Che-Yang Chiang; Heng-Tung Hsu; Chien-I Kuo; Ching-Te Wang; Wee Chin Lim; Edward Yi Chang
元智大學 2012-12-04 Fabrication of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs) on Silicon Substrate with Slant Field Plates Using Deep-UV Lithography Featuring 5W/mm Power Density at X-band CHIA-HUA CHANG; Heng-Tung Hsu; Lu-Che Huang; Che-Yang Chiang; Edward Yi Chang
元智大學 2012-05 Effect of Field Plate on the RF Performance of AlGaN/GaN HEMT Devices Che-Yang Chiang; Heng-Tung Hsu; Edward Yi Chang
元智大學 2012-04-26 40nm InAs HEMTs with Current-Gain Cutoff Frequency of 663 GHz Biased Near the Occurrence of Impact Ionization Chien-I Kuo ; Che-Yang Chiang; Heng-Tung Hsu; Ching-Yi Hsu; Guo-Wei Huang; Edward Yi Chang
元智大學 2012-04-26 40nm InAs HEMTs with Current-Gain Cutoff Frequency of 663 GHz Biased Near the Occurrence of Impact Ionization Chien-I Kuo ; Che-Yang Chiang; Heng-Tung Hsu; Ching-Yi Hsu; Guo-Wei Huang; Edward Yi Chang
元智大學 2012-04-26 40nm InAs HEMTs with Current-Gain Cutoff Frequency of 663 GHz Biased Near the Occurrence of Impact Ionization Chien-I Kuo ; Che-Yang Chiang; Heng-Tung Hsu; Ching-Yi Hsu; Guo-Wei Huang; Edward Yi Chang
元智大學 2011-10 V-Band Flip-Chip Assembled Gain Block Using In0.6Ga0.4As Metamorphic High-Electron-Mobility Transistor Technology Che-Yang Chiang; Heng-Tung Hsu; Chin-Te Wang; Chien-I Kuo; Heng-Shou Hsu; Edward Yi Chang
元智大學 2011-09 Flip-Chip Packaging of Low-Noise Metamorphic High Electron Mobility Transistors on Low-Cost Organic Substrate Chin-Te Wang; Chien-I Kuo; Heng-Tung Hsu; Edward Yi Chang; Li-Han Hsu; Wee-Chin Lim; Yasuyuki Miyamoto
元智大學 2011-09 Flip-Chip Packaging of Low-Noise Metamorphic High Electron Mobility Transistors on Low-Cost Organic Substrate Chin-Te Wang; Chien-I Kuo; Heng-Tung Hsu; Edward Yi Chang; Li-Han Hsu; Wee-Chin Lim; Yasuyuki Miyamoto

顯示項目 31-55 / 122 (共5頁)
<< < 1 2 3 4 5 > >>
每頁顯示[10|25|50]項目

DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT   &  Hewlett-Packard   /   Enhanced by   NTU Library IR team