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机构 日期 题名 作者
亞洲大學 2014-01 A Novel Ultra High Voltage Sidewall Implant Super Junction MOSFET Using Arsenic Implantation under Trench Bottom Kumar, Rahul;Kumar, Rahul;EmitaYulia, H;Hapsari, EmitaYulia;許健;Sheu, Gene;楊紹明;Yang, Shao-Ming; Anil Kumar; Anil Kumar TV
亞洲大學 201310 A Novel Ultra High Voltage Sidewall Implant Super Junction MOSFET Using Arsenic Implantation under Trench Bottom Kumar, Rahul;Kumar, Rahul;EmitaYulia, H;Hapsari, EmitaYulia;許健;Sheu, Gene;楊紹明;Yang, Shao-Ming;Anil Kumar, T;
亞洲大學 2013-10 A Novel Ultra High Voltage Sidewall Implant Super Junction MOSFET Using Arsenic Implantation under Trench Bottom Kumar, Rahul;Kumar, Rahul;EmitaYulia, H;Hapsari, EmitaYulia;許健;Sheu, Gene;楊紹明;Yang, Shao-Ming;Anil Kumar, T;

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