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机构	日期	题名	作者
國立交通大學	2020-01-02T00:03:29Z	Investigation of Ferroelectric Granularity for Double-Gate Negative-Capacitance FETs Considering Position and Number Fluctuations	Fan, Che-Lun; Tseng, Kuei-Yang; Liu, You-Sheng; Su, Pin

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