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國立臺灣大學 2007 Demonstration of Rashba spin splitting in an Al0.25Ga0.75N/GaN heterostructure by microwave-modulated Shubnikov–de Haas oscillations Cho, K S; Liang, C-T; Chen, Y F; Fan, J C
大葉大學 2004-12 Thermally stimulated current in self-organized InAs quantum dots Fan, J. C.;Wang, Y. C.;Chen, I. S.;Hsiao, K. J.;Chen, Y. F.
國立臺灣大學 2001 Estimation of Interrill Soil Erosion on Steep Slopes Fan, J. C.; Wu, M. F.
臺大學術典藏 2001 Estimation of Interrill Soil Erosion on Steep Slopes Wu, M. F.; Fan, J. C.; Fan, J. C.; Wu, M. F.
國立臺灣大學 2000 Mechanism for photoluminescence in an InyAs1–yN/InxGa1–xAs single quantum well Fan, J. C.; Hung, W. K.; Chen, Y. F.; Wang, J. S.; Lin, H. H.
國立臺灣大學 2000 Mechanism for photoluminescence in an InyAs1-yN/InxGa1-xAs single quantum well Fan, J. C.; Hung, W. K.; Chen, Y. F.; Wang, J. S.; Lin, H. H.
國立臺灣大學 1999 Above-barrier states in GaAs-AlGaAs superlattices studied by photoconductivity and photoreflectance Fan, J. C.; Chen, Y. F.; Lin, D. Y.; Huang, Y. S.; Chen, M. C.; Lin, H. H.
國立臺灣大學 1999 Effects of alloy potential fluctuations in InGaN epitaxial films Lin, T Y; Fan, J C; Chen, Y F
國立臺灣大學 1999 Evidence of Bose-Einstein Condensation of Excitons in Semimetallic Al,Gal_,Sb/InAs Quantum Wells Wang, W. C.; Fan, J. C.; Chen, Y. F.
淡江大學 1998-01-05 A study of porous silicon prepared under different HF concentrations by positron annihilation Huang, C. C.; Chang, I. M.; Huang, J. H.; Fan, J. C.; Chen, Y. F.; 鄭伯昆; Tseng, P. K.
國立臺灣大學 1998 A study of porous silicon prepared under different HF concentrations by positron annihilation Huang, C. C.; Chang, I. M.; Huang, J. H.; Fan, J. C.; Chen, Y. F.; Tseng, P. K.
國立臺灣大學 1998 Study of persistent photoconductivity in semimetallic Al0.2Ga0.8Sb/InAs quantum wells Tsai, L. C.; Fan, J. C.; Chen, Y. F.; Lo, Ikai
國立臺灣大學 1998 Observation of Coulomb Staircases in Arsenic Precipitates in Low-Temperature Grown GaAs Fan, J. C.; Yong, B. L.; Yang, Y. C.; Chen, Y. F.; Lee, W. C.; Hsu, T. M.
國立臺灣大學 1998 Studies of two-subband occupied electron gas in modulation-doped In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As single quantum well by far-infrared modulated photoluminescence Dai, Y. T.; Fan, J. C.; Chen, Y. F.
國立臺灣大學 1997-08 Compositional Dependence of the Conduction-Band Effective Mass of InGaAsP Lattice Matched to InP Fan, J.C.; Chen, Y.F.; Liu, J.S.; Lin, H.H.
國立臺灣大學 1996 Study of the photoluminescence instability of porous silicon under light illumination Chang, I. M.; Fan, J. C.; Chen, Y. F.

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