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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2019-04-03T06:42:08Z Evaluation of Monolithic 3-D Logic Circuits and 6T SRAMs With InGaAs-n/Ge-p Ultra-Thin-Body MOSFETs Yu, Kuan-Chin; Fan, Ming-Long; Su, Pin; Chuang, Ching-Te
國立交通大學 2019-04-02T05:59:08Z Analysis of Ultra-Thin-Body SOI Subthreshold SRAM Considering Line-Edge Roughness, Work Function Variation, and Temperature Sensitivity Hu, Vita Pi-Ho; Fan, Ming-Long; Su, Pin; Chuang, Ching-Te
國立交通大學 2019-04-02T05:58:12Z Analysis of Single-Trap-Induced Random Telegraph Noise on FinFET Devices, 6T SRAM Cell, and Logic Circuits Fan, Ming-Long; Hu, Vita Pi-Ho; Chen, Yin-Nien; Su, Pin; Chuang, Ching-Te
國立交通大學 2019-04-02T05:58:09Z Variability Analysis of Sense Amplifier for FinFET Subthreshold SRAM Applications Fan, Ming-Long; Hu, Vita Pi-Ho; Chen, Yin-Nien; Su, Pin; Chuang, Ching-Te
國立交通大學 2018-08-21T05:56:55Z Ultra-Low Voltage Mixed TFET-MOSFET 8T SRAM Cell Chen, Yin-Nien; Fan, Ming-Long; Hu, Vita Pi-Ho; Su, Pin; Chuang, Ching-Te
國立交通大學 2017-04-21T06:55:34Z Investigation and Simulation of Work-Function Variation for III-V Broken-Gap Heterojunction Tunnel FET Hsu, Chih-Wei; Fan, Ming-Long; Hu, Vita Pi-Ho; Su, Pin
國立交通大學 2017-04-21T06:49:57Z Impacts of Work Function Variation and Line-Edge Roughness on TFET and FinFET Devices and Logic Circuits Chen, Chien-Ju; Chen, Yin-Nien; Fan, Ming-Long; Hu, Vita Pi-Ho; Su, Pin; Chuang, Ching-Te
國立交通大學 2017-04-21T06:49:05Z Evaluation of TFET and FinFET Devices and 32-Bit CLA Circuits Considering Work Function Variation and Line-Edge Roughness Chen, Chien-Ju; Chen, Yin-Nien; Fan, Ming-Long; Hu, Vita Pi-Ho; Su, Pin; Chuang, Ching-Te
國立交通大學 2017-04-21T06:49:02Z Impacts of NBTI and PBTI on Ultra-Thin-Body GeOI 6T SRAM Cells Hu, Vita Pi-Ho; Fan, Ming-Long; Su, Pin; Chuang, Ching-Te
國立交通大學 2016-03-28T00:04:24Z Evaluation of Monolayer and Bilayer 2-D Transition Metal Dichalcogenide Devices for SRAM Applications Yu, Chang-Hung; Fan, Ming-Long; Yu, Kuan-Chin; Hu, Vita Pi-Ho; Su, Pin; Chuang, Ching-Te

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