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机构	日期	题名	作者
國立交通大學	2019-04-03T06:44:21Z	AlN Surface Passivation of GaN-Based High Electron Mobility Transistors by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition	Tzou, An-Jye; Chu, Kuo-Hsiung; Lin, I-Feng; Ostreng, Erik; Fang, Yung-Sheng; Wu, Xiao-Peng; Wu, Bo-Wei; Shen, Chang-Hong; Shieh, Jia-Ming; Yeh, Wen-Kuan; Chang, Chun-Yen; Kuo, Hao-Chung
東海大學	2006	以失效模式與效應分析為基的製程問題分析模式-以奈米碳管背光模組為例	方勇盛; Fang, Yung-Sheng

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