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國立成功大學	2017-10-12	The chemical states and atomic structure evolution of ultralow-energy high-dose Boron implanted Si(110) via laser annealing	Lee;Fu-Ying;Wu;Zong-Zhe;Kao;Li-Chi;Chang;Feng-Mei;Chen;Sheng-Wen;JangJian;Shiu-Ko;Cheng;Hui-Yu;Chen;Wei-Liang;Chang;Yu-Ming;Lo;Yao, Kuang

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