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| 國立臺灣大學 |
1999 |
Recrystallization of C-Al Ion Co-implanted Epitaxial 6H-SiC
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Feng, Z. C.; Chua, S. J.; Tone &, K.; Zhao, J. H. |
| 國立臺灣大學 |
1998-01 |
Photoluminescence and Raman Scattering characterization of GaN, InGaN and AlGaN films using a UV Excitation Raman-Photoluminescence microscope
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Feng, Z.C.; Schurman, M.; Tran, C.; Salagaj, T.; Karlicek, B.; Ferguson, I.; Stall, R.A.; Dyer, C.D.; Williams, K.P.J.; Pitt, G.D. |
| 國立臺灣大學 |
1998-01 |
Materials Science Forum
|
Ferguson, I.; Liang, C.; Tran, A.; Karlicek, R. F.; Feng, Z.C.; Lu, Y.; Joseph, C. |
| 國立臺灣大學 |
1998-01 |
MOCVD growth of high power 0.5W 35GHz MMICs
|
Ferguson, I.T.; Beckman, C.; Feng, Z.C.; Thompson, A.G.; Stall, R.; Hou, H.Q.; Seipel, K.; Chen &, S.W.; Aina, L. |
| 國立臺灣大學 |
1998-01 |
Effects of Al-C ion-implantation and annealing in epitaxial 6H-SiC studied by structural and optical techniques
|
Feng, Z.C.; Ferguson, I.; Stall, R.A.; Li, K.; Shi, Y.; Singh, H.; Tone, K.; Zhao, J.H.; Wee, A.T.S.; Tan, K.L.; Adar, F.; Lenain, B. |
| 國立臺灣大學 |
1997-01 |
How to distinguish the Raman modes of epitaxial GaN with phonon features from sapphire substrate
|
Feng, Z.C.; Schurman, M.; Stall, R.A. |
| 國立臺灣大學 |
1997-01 |
Surface and interface analysis of InSb/GaAs
|
Li, K.; Wee, A.T.S.; Lin, J.; Lee, K.K.; Watt, F.; Tan, K.L.; Feng, Z.C.; Webb, J.B. |
| 國立臺灣大學 |
1997-01 |
Temperature dependence of the energies and broadening parameters of the interband transitions in Ga0.95Al0.05N
|
Malikova, L.; Huang, Y.-S.; Pollak, F.H.; Feng, Z.C.; Schurman, M.; Tran, C.A.; Salagaj, T.; Stall, R.A. |
| 國立臺灣大學 |
1997-01 |
Raman scattering as a characterization tool for epitaxial GaN thin films grown on sapphire by turbo disk metalorganic chemical vapor deposition
|
Feng, Z.C.; Schurman, M.; Stall, R.A.; Pavloski &, M.; Whitley, A. |
| 國立臺灣科技大學 |
1997 |
Numerical Simulations of the Translational and Shape Oscillations of a Liquid Drop in an Acoustic Field
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Feng, Z. C.;Su, Y. H. |
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