| 臺大學術典藏 |
2019-12-27T01:16:38Z |
Testing of surface properties pre-rad and post-rad of n-in-p silicon sensors for very high radiation environment
|
Seidel, S.; Toms, K.; Tsionou, D.; Unno, Y.; Von Wilpert, J.; Wormald, M.; Wright, J.; Yamada, M.; Stathes Paganis; Bohm, J.; Brown, H.; Buttar, C.; Carter, J.R.; Casse, G.; Chen, H.; Chilingarov, A.; Cindro, V.; Clark, A.; Dawson, N.; Dewilde, B.; Doherty, F.; Dolezal, Z.; Eklund, L.; Fadeyev, V.; Ferr?rre, D.; Fox, H.; French, R.; Garc?a, C.; Gerling, M.; Gonzalez Sevilla, S.; Gorelov, I.; Greenall, A.; Grillo, A.A.; Hamasaki, N.; Hara, K.; Hatano, H.; Hoeferkamp, M.; Hommels, L.B.A.; Ikegami, Y.; Jakobs, K.; Kierstead, J.; Kodys, P.; K?hler, M.; Kohriki, T.; Kramberger, G.; Lacasta, C.; Li, Z.; Lynn, D.; Maddock, P.; Mandi?, I.; Martinez-Mckinney, F.; Garcia, S.M.; Maunu, R.; McCarthy, R.; Metcalfe, J.; Mikestikova, M.; Miku?, M.; Mi?ano, M.; Mitsui, S.; O'Shea, V.; Parzefall, U.; Sadrozinski, H.F.-W.; Schamberger, D.; Seiden, A.; Terada, S.; Paganis, S.; Robinson, D.; Puldon, D.; Sattari, S.; Betancourt, C.; Lindgren, S.; Affolder, A.A.; Allport, P.P.; Bates, R. |
