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机构	日期	题名	作者
國立交通大學	2017-04-21T06:49:32Z	Electrical Characteristics of HfO2 and La2O3 Gate Dielectrics for In0.53Ga0.47As MOS Structure	Funamiz, K.; Lin, Y. C.; Kakushima, K.; Ahmet, P.; Tsutsui, K.; Sugii, N.; Chang, E. Y.; Hattori, T.; Iwai, H.

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